- 音频放大器已经快有一个世纪的历史了，最近几年，电子产品正在向薄型化、便携式迅速发展。音质好、电源效率高、发热少的D类放大器成为市场的需求。并且由于D类放大器的耗电低、发热少等诸多特点，越来越得到日益强调环保的市场的认同。同时，便携电子设备的工作时间一直是厂商全力追求的最重要的性能指标，新的无滤波器D类放大器在几瓦特的功率级别上正在取代原先固定的AB类器件。与体积庞大的传统线性放大器相比，使用D类放大器并不影响音频信号的音质却能够实现便携产品的小型化，因此市场对电子产品薄型化、便携式的需求趋势造就了传统放大
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功率放大器 三极管
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S波段微波功率放大器是雷达发射机、无线通信、测量设备等系统的关键元件。微波功放的增益、输出功率、非线性等参数直接影响整个系统性能。S波段微波功率放大器研制的核心是大信号工作条件下功率放大器的输入输出宽带匹配电路的设计。大功率功率放大器的输出阻抗很低，一般在5 Ω以下，因而匹配电路的阻抗变换比很大，导致直接设计宽带匹配电路困难。同时，功放的交调、谐波等非线性也与其匹配电路有关，电路设计时必须综合考虑。
微波功率放大器关键在于输入输出匹配电路的设计。其功放匹配电路的设计可
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功率放大器 雷达 测量设备 无线通信 微波
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近年来，光子带隙(PBG)结构已经被应用到了很多领域。尤其在微波、毫米波中，PBG结构以用来改善天线性能，增加功率放大器的效率和输出功率，宽带吸收器以及频率选择表面等。PBG结构是具有带阻特性的周期性结构，可以采用金属、介质、铁磁或铁电物质植入基质材料，或者直接由各种材料周期性排列而成。目前国内外所提出的PBG结构多种多样，比如在介质基板穿孔，在介质基板中填充其他材料或金属，在微带电路表面环绕冗余部分形成PBG结构，可构成频率选择表面，可作为电路或天线的覆盖层；作为微带天线衬底层可以提
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- 圣邦微电子（SGMICRO）最新推出的SGM4896单通道差分输入,BTL输出,AB类音频功率放大器。该器件具有高电源抑制比，低失真等特点，主要应用于移动电话、无绳电话、PHS电话、、MP3/MP4、GPS等产品。
SGM4896输入电压为2.5V~5.5V；输出功率为1.15W；PSRR典型值为-73dB(217Hz)和-73dB(1kHz)；关断电流仅为0.01μA；通过外置反馈电阻和输入电阻调节增益，使用灵活。
SGM4896是无公害无铅环保产品，温度范围达到扩展的工业标准&n
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- SiGe半导体公司 (SiGe Semiconductor) 现已为移动 WiMAX 市场扩展其功率放大器 (Power amplifier, PA) 和射频 (RF) 前端模块产品系列，推出全新型号 SE7262L。该2.5GHz 高功率放大器具有业界领先的性能，并超越了 IEEE 802.16e 和WiMAX论坛 (WiMAX Forum) 规范的频谱屏蔽要求。 SE7262L 的性能经过了优化，可在整个工作温度范围提供极高的稳定性，使制造商能够在移动计算应用产品中支持宽带无线多媒体服务，而不会影
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- 在向着4G手机发展的过程中，便携式系统设计工程师将面临的最大挑战是支持现有的多种移动通信标准，包括GSM、GPRS、EDGE、UMTS、WCDMA和HSDPA，与此同时，要要支持100Mb/s～1Gb/s的数据率以及支持OFDMA调制、支持MIMO天线技术，乃至支持VoWLAN的组网，因此，在射频信号链设计的过程中，如何降低射频功率放大器的功耗及提升效率成为了半导体行业的竞争焦点之一。目前行业发展呈现三条技术路线，本文就这三条技术路线进行简要的比较。
利用超CMOS工艺，从提高集成度来间接提升P
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- 1 nRF24L01芯片的介绍
nRF24L01是单片射频收发芯片，工作于2.4～2.5 GHz ISM频段。工作电压为1.9～3.6 V，有多达125个频道可供选择。可通过SPI写入数据，最高可达10 Mb／s，数据传输率最快可达2 Mb／s，并且有自动应答和自动再发射功能。和上一代nRF2401相比，nRF2401数据传输率更快，数据写入速度更高，内嵌的功能更完备。
芯片内置频率合成器、功率放大器、晶体振荡器、调制器等功能模块，并融进了增强式ShockBurst技术，其中输出功率和通信
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- 蜂窝通信的发展与先进调制方案的关系日益密切。在最新一代(2.5G和3G)基站中，设计策略包括实现高线性度同时把功耗减至最小的方法。例如，通过监控基站功率放大器的性能，可以把功率放大器(PA)的输出功率最大化，同时获得最佳线性度和效率。幸运的是，采用为此目的量身定做的分立式集成电路(IC)，就可以很简单地监控PA的输出电平。
无线基站在功耗、线性度、效率和成本方面的性能主要取决于PA和信号链路。硅横向
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蜂窝通信 3G 无线基站 功率放大器
- 2008年5月，Axiom Microdevices 公司今日宣布：经纬科（GinwaveTechnologies）公司广泛使用AX502 四频GPRS互补金属氧化物半导体功率放大器(CMOS PA)到其多款手机中。
“经纬科技在技术创新方面有着卓越的记录，能针对各种客户的需求提供高性能价格比的、客制化的手机产品”， Axiom Microdevices 的首席执行官 Brett Butler 说：“经纬科技对主流CMOS技术给功率放大(PA)功能带来的优
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- 2008年5月26日,瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）今天宣布，推出和高频功MOSFET，以实现业界最高功效级别*1 和IEC61000-4-2的4级ESD标准*2 的高可靠性。这些器件适用于手持式无线设备发射器的功率放大器。
这两种产品可以放大转换为高频的音频信号，以发射规定的输出功率，并将该功率传送给天线。1 W输出的RQA0010的将从2008年8月开始在日本提供样品，0.25 W输出的RQA0014样品将于9月开始提供。
这两种产品具有以下特点。
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- 设计了一种用于耳机驱动的CMOS功率放大器,该放大器采用0.35 μm双层多晶硅工艺实现,驱动32 Ω的电阻负载.该设计采用三级放大两级密勒补偿的电路结构,通过提高增益带宽来提高音频放大器的性能.仿真结果表明,该电路的开环直流增益为70 dB,相位裕度达到86.6°,单位增益带宽为100 MHz.输出级采用推挽式AB类结构,能有效地提高输出电压的摆幅,从而得到电路在低电源电压下的高驱动能力.结果表明,在3.3 V电源电压下,电压输出摆幅为2.7 V.
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- 本文系统分析了射频CMOS功率放大器的设计方法，并基于TSMC 0.35μm RF工艺设计了一种工作频率在2.4GHz，电源电压为3.3V的三级CMOS功率放大器。
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电子管麦景图mc-275(mcintosh275)功率放大器介绍
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