- Nexperia宣布为其持续扩展的功率器件产品组合新增两款理想二极管IC。其中，NID5100适用于标准工业和消费应用，而NID5100-Q100已获得认证，可用于汽车应用。这两款理想二极管均以MOSFET为基础，拥有比传统二极管更低的正向压降，非常适合用来替换系统中的标准二极管，进而满足相关的超高能效要求。NID5100和NID5100-Q100理想二极管采用小型TSSP6/SOT363-2有引脚塑料封装，尺寸仅为2.1 mm×1.25 mm×0.95 mm。NID5100理想二极管的电气性能出色，能为
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Nexperia 理想二极管
- 背景：理想二极管控制器和 ORing 控制器以三种不同的运行模式控制外部 N 沟道 MOSFET，如图 1 所示。图 1：理想二极管控制器 LM74700-Q1 的栅极驱动模式正常运行期间，控制器以稳压导通模式或完全导通模式运行。在稳压导通模式下，线性稳压方案在 MOSFET 源漏极两端保持非常低的正向电压。LM74700-Q1 将 MOSFET 的正向压降调节至 20mV（典型值）。LM5050-x 和 LM5051 稳压正向压降为 22mV（典型值），TPS2410/12
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TI 理想二极管 ORing
- 本文研究具有背靠背MOSFET的理想二极管以及其他更先进的器件。文中还介绍了一种集成多种功能以提供整体系统保护的理想二极管解决方案。二极管是非常有用的器件，对许多应用都很重要。标准硅二极管的压降为0.6 V至0.7 V。肖特基二极管的压降为0.3 V。一般来说，压降不是问题，但在高电流应用中，各个压降会产生显著的功率损耗。理想二极管是此类应用的理想器件。幸运的是，MOSFET可以取代标准硅二极管，并提供意想不到的应用优势。
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理想二极管 源选择器 eFuse
- LTC 4353控制外部N沟道MOSFET来实现一个理想的二极管功能。它取代了两个高功率肖特基二极管和其相关的散热器，节省功耗和电路板面积。理想二极管的功能，允许低损失电源ORing和供应滞留应用的。LTC4353调节横跨正向
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低电压 理想二极管 控制器
- 具理想二极管的浪涌抑制器可保护输入和输出,汽车和工业应用中的电源系统必须处理短时间的高电压浪涌、保持负载上的电压调节、同时避免敏感电路遭受危险瞬变的损坏。常用的保护方案需要使用一个串联的铁芯电感器和高值
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理想二极管 浪涌抑制器 linear
- LTC 4353控制外部N沟道MOSFET来实现一个理想的二极管功能。它取代了两个高功率肖特基二极管和其相关的散热器，节省功耗和电路板面积。理想二极管的功能，允许低损失电源ORing和供应滞留应用的。LTC4353调节横跨正向
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低电压 理想二极管 控制器
- MOSFET 理想二极管控制器在低压应用中，为坚固的电源“或”提供快速接通和关断
凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)日前推出 0V 至 18V 理想二极管控制器 LTC4352，该器件使多个电源能够进行低损耗“或”连接而对电源电压有最小干扰。LTC4352 调节外部 N 沟道 MOSFET 上的正向压降，以确保在二极管“或”应用中电源之间平滑传送电流。在低压系统中，控制器之间的慢切换导
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凌力尔特 MOSFET 理想二极管 控制器
理想二极管介绍
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