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模拟技术 文章 进入模拟技术技术社区

针对便携设备的高端负载开关及其关键应用参数

  • 对于各具特色的移动电话、移动GPS设备和消费电子小玩意等电池供电的便携式设备应用来说,高端负载开关一直受到众多工程师和设计人员的青睐。本文将以易于理解的非数学方式全方位介绍基于MOSFET的高端负载开关,并讨论在设计和选择过程中必须考虑的各种参数。 高端负载开关的定义是:它通过外部使能信号的控制来连接或断开至特定负载的电源(电池或适配器)。相比低端负载开关,高端负载开关“流出”电流至负载,而低端负载开关则将负载接地或者与地断开,因此它从负载“汲入”电流。 高端负载开关不同于高端电源开关。高端电源开关
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多层陶瓷电容的应用

  • 消除干扰   EMC MLCC(电磁兼容片式多层陶瓷电容)为设备和I/O端口的供电线和数据线提供电磁干扰抑制方案。视乎于应用的不同,电磁兼容电容器能带来数种好处。因为只有干扰电流而非有用的电流流经这类电容,所以在工作电流较大的电路中可以使用容值相对较小的电容。特别是片式多层陶瓷电容,如用于电磁干扰的抑制,尺寸可以做到1206,0805甚至更小。此外,根据不同应用,多达四个电容器可以集成到一个称为阵列的元件中。片式多层陶瓷电容在电磁兼容应用中所表现出的高性价比和可靠性,主要归功于其低串联等效电阻,低串联等
  • 关键字: 电源技术  多层陶瓷电容  模拟技术  电容器  

凌力尔特推出双通道、1MHz 同步转换器 LTC3522

  •   凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出双通道、1MHz 同步转换器 LTC3522。该器件的一个通道采用同步降压-升压型拓扑,在输入高于、等于或低于输出时,可以提供高达 400mA 的连续输出电流。在需要 3.3V 输出的单节锂离子电池应用中,降压-升压型拓扑可以将电池工作时间延长 25%。第二个通道由同步降压型稳压器组成,在电压低至 0.6V 时可以提供高达 200mA 的连续输出电流。这种通道组合非常适用于供电应用,如同时需要 3.3V I/O 轨和 0.6
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带有输入串联电阻的电流检测放大器的性能

  • 概述 从功能上来说,电流检测放大器可看成一个输入级浮置的仪表/差分放大器。这就是说,即使仅采用VCC = 3.3V或5V单电源供电,器件仍然能够对共模电压远大于电源电压的输入差分信号进行放大。例如,电流检测放大器的共模电压可高达28V (MAX4372和MAX4173)和76V (MAX4080和MAX4081)。 电流检测放大器的这一特性对高边电流检测应用非常有用,在这些应用中需要放大高压线路上检测电阻两端的小信号电压,并将放大的电压反馈至低压ADC或低压模拟控制环路。在这类应用中,通常需要在源端对
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Skyworks推出无线应用高动态范围直接转换解调器套件

  • Skyworks宣布数款即将推出的直接转换解调器中的首款产品,该产品将用于各种无线通信应用(包括 WiMAX 和蜂窝架构)。SKY73012(即从 400 到 3900 MHz 的 RF 波形的理想正交解调)提供了突破性的简约设计,允许客户跨整个无线电频谱范围集成一个解决方案,而不需要针对不同的频率范围采用多路解调器。 Skyworks 线性产品部的高级主管 Sean Martin&nb
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凌力尔特针对手持式应用推USB电源芯片

  • 凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出用于手持式应用的高效率、多功能电源管理解决方案LTC3559。该器件集成了独立锂离子/聚合物电池充电器和两个高效率同步降压型稳压器,采用扁平3mm
  • 关键字: USB电源  电源技术  凌力尔特  模拟技术  模拟IC  电源  

世界最小单卡16路DSP实时压缩卡研制成功

  •   目前世界上最小的单卡16路DSP实时压缩产品日前由我国企业自主研制成功,这标志着中国安防产业在技术研发上的又一次突破。   DSP实时压缩卡是监控系统后端的图像采集卡,如果说监控系统是人的视觉系统,那么DSP实时压缩卡就是人的大脑,它是监控系统的核心部件,所有从监控系统前端接收到的视频信息都被记录在DSP实   时压缩卡上。该技术的研发单位北京汉邦高科数字技术有限公司今年推出的新产品HB18系列DVR专用视频压缩卡中,就使用了这种目前世界上最小的单卡16路DSP实时压缩产品,仅165
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ST新推32位微控制器 欲借高性价比抢占市场

  • “我们准备通过这款产品,在16-32位市场上处于领先地位。”2007年6月11日,半导体制造厂商意法半导体(ST)高调推出一个新的32位微控制器系列产品,新产品所用微处理器是ARM公司为要求高性能(1.25 Dhrystone MIPS/MHz)、低成本、低功耗的嵌入式应用专门设计的ARM Cortex-M3内核。  据悉,ST将为这款新产品举办全球巡回发布会,而中国则成为巡回发布会的首发站。  ST方面介绍称,STM32系列产品得益于Cortex-M3在
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无线电力传输有突破 未来有望告别电线电池

  • 计算机桌旁总是连着一堆盘根错节的电线吗?这似乎是享受高科技时不得不忍受的一件事情。但是美国麻省理工学院经过4年研究,已经发展出一种被称为“无线电力”的技术,可以隔空为计算机或者手机提供电能。电线和电池将来都有可能成为历史名词。  这项研究成果已经刊登在7日出版的《科学》杂志上。根据这项研究成果,麻省理工学院的研究人员使用两个相距2米的铜线圈,成功地通过无线电力传输点亮了一个功率为60瓦的电灯泡。麻省理工学院的物理学教授马林
  • 关键字: 电线电池  电源技术  模拟技术  通讯  网络  无线  无线电力  

半导体厂投资85%面向300mm设备

  • 中国作为全球主要系统级电子制造中心,产品覆盖面非常广,从彩电、多媒体播放器到手机,可谓应有尽有。越来越多的公司依赖中国作为其制造基地,以应对全球市场的激烈竞争。  正是这个巨大的市场推动着中国半导体的设备与材料业,使其在过去的一年中变得异常活跃。与2005年截然不同,2006年对绝大多数半导体芯片制造设备商来说是个出人意料的好年头。放眼未来,在未来的三年内,芯片制造厂在设备上的耗资较2001年-2006年的增长模式会更为稳定。300mm芯片制造设备将成为新设备市场的主力军,与此同时,由于越来越多
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凌力尔特推出 USB 电源通路管理器

  •   凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出用于便携式 USB 设备的自主式线性电源通路(PowerPathTM)管理器、理想二极管控制器和独立高输入电压电池充电器 LTC4090。就高效率充电而言,其前端开关拓扑考虑了各种输入情况,包括高达 38V 的高压电源(最高 60V 的承受能力),例如 12V 稳压/未稳压 AC-DC 交流适配器、FireWire 端口或汽车电源。另外,该集成电路还可接受低压电源,例如 5V 交流适配器、USB 端口和单节锂离子/聚合物电池
  • 关键字: USB  电源技术  电源通路管理器  凌力尔特  模拟技术  模拟IC  电源  

关于电感值的工程变通计算和测试法

  • 1 引言 在开发电子镇流器和电子节能灯电感镇流器及电感式节能灯中,常常遇到镇流电感及滤波电感值的计算问题。 但是电感值的计算程式比较繁琐,并且在缺乏必要的磁材参数测量仪器的情况下,要严格按程式计算也是困难的,如果有设计仿真软件当然就容易了。 2 传统的程式设计 例如:要设计40W电子镇流器,电路需要L=1.6mH的电感,试计算磁芯大小、绕线匝数、磁路气隙长度。 首先,计算磁芯截面积,确定磁芯尺寸。 为此,可由式(1)计算出磁芯面积乘积Ap Ap=(392L
  • 关键字: 电感值  电源技术  模拟技术  元件  制造  

针对便携设备的高端负载开关及其关键应用参数

  • 对于各具特色的移动电话、移动GPS设备和消费电子小玩意等电池供电的便携式设备应用来说,高端负载开关一直受到众多工程师和设计人员的青睐。本文将以易于理解的非数学方式全方位介绍基于MOSFET的高端负载开关,并讨论在设计和选择过程中必须考虑的各种参数。 高端负载开关的定义是:它通过外部使能信号的控制来连接或断开至特定负载的电源(电池或适配器)。相比低端负载开关,高端负载开关“流出”电流至负载,而低端负载开关则将负载接地或者与地断开,因此它从负载“汲入”电流。 高端负载开关不同于高端电源开关。高端电源开关
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青海电源建设思路:因地制宜发展风电太阳能发电

  • 记者从有关部门了解到,借助青海省风能资源较丰富的优势,近日,青海华电大通发电公司、青海风发新能源技术公司邀请国内有关专家就青海省风能资源特点选择风电机组并建立风力发电厂进行研讨。 因地制宜发展风电和太阳能发电是青海省“十一五”及2020年电源建设的基本思路,为确保青海省长远能源平衡,保持能源发展的可持续性,在青海省电网覆盖范围内适当加大风能资源的利用是十分必要的。风电是可再生和清洁环保能源,大力发展风力发电,将进一步改善能源结构,还可促进青海省旅游业的发展。在青海电网建设一定规模的风电,可适当缓解火电不足
  • 关键字: 电源技术  模拟技术  青海电源  太阳能发电  模拟IC  电源  

半导体存储器期待再创辉煌

  • DRAM是半导体业的起点今天来说半导体存储器,主要包括DRAM和flash(闪存)两大类产品。DRAM是Intel公司的起家产品,是日本、韩国及中国台湾进入以集成电路为代表的半导体行业的切入点和迄今为止的主打产品,日本通过1976~79年的VLSI技术研究组合国家计划,首先进入了64K DRAM时代,在存储器技术方面赶上并超过了美国,从而使日本企业的半导体生产大发展,并于1985年超过美国,1988年曾独占世界市场50%以上,达于顶峰。此后由于韩、台在DRAM领域的相继崛起,美国称霸微芯片领域,导致日本在
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