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大电容充电的“控制器”电路设计 文章 进入大电容充电的“控制器”电路设计技术社区

PCB设计之重点:PCB推荐叠层及阻抗设计

  • 为了减少在高速信号传输过程中的反射现象,必须在信号源、接收端以及传输线上保持阻抗的匹配。单端信号线的具体阻抗取决于它的线宽尺寸以及与参考平面之间的相对位置。特定阻抗要求的差分对间的线宽/线距则取决于选择的PCB叠层结构。由于最小线宽和最小线距是取决于PCB类型以及成本要求,受此限制,选择的PCB叠层结构必须能实现板上的所有阻抗需求,包括内层和外层、单端和差分线等。一、PCB叠层设计层的定义设计原则:1)主芯片相临层为地平面,提供器件面布线参考平面;2)所有信号层尽可能与地平面相邻;3)尽量避免两信号层直接
  • 关键字: PCB  电路设计  

模电的半壁江山——运算放大器的原理和应用

  • 模电的半壁江山——运算放大器的原理和应用大家学习电子都会接触运算放大器,常常听到虚短虚断一说。虚短虚断是解开负反馈运放电路的核心方法,具体就要从运放的原理开始说起了。LM741原理图拿LM741为例子。可以将内部电路图分为A,B,C,D四个部分。A是差分输入级。差分输入有同相输入和反相输入两个输入端。主要作用是在放大差模信号型号的同时抑制共模信号,比如抑制温度造成的零漂等,保证静态工作点的稳定,然后将放大后的信号送入C,中间放大级,将信号实现进一步的放大。最后通过D,甲乙类推挽输出输出信号,保证输出信号的
  • 关键字: 运算放大器  电路设计  

基于Kintex-7 FPGA的核心板电路设计

  • 1. 引言Field Programmable GateArray(简称,FPGA)于1985年由XILINX创始人之一Ross Freeman发明,第一颗FPGA芯片XC2064为XILINX所发明,FPGA一经发明,后续的发展速度之快,超出大多数人的想象,近些年的FPGA,始终引领先进的工艺。在通信等领域FPGA有着广泛的应用,通信领域需要高速的通信协议处理方式,另一方面通信协议随时都在修改,不适合做成专门的芯片,所以能够灵活改变的功能的FPGA就成了首选。并行和可编程是FPGA最大的优势。2.核心板
  • 关键字: FPGA  Kintex-7  电路设计  

解析三极管的电阻位置

  • 三极管用作开关时的常见电阻配置,如下图所示。本文尝试解析为何这些电阻要放置在这个位置,而不是那个位置。在其位,谋其职。电阻R11)产生基级电流Ib【三极管是流控型器件】流控在于,其输出电流IC和IB具有关系IC=β*IB2)限流【串联电阻的主要作用就是限流】电阻R31)跟R1组合形成基级分压回路,用于产生开启电压(比5V小,有些管子耐受电压较小)2)提供一个电压泄放回路(如果VDD的5V有浪涌的话)电阻R41)产生发射级电流IC2)限流进一步,为什么R4要放在三极管上面,也就是C级,而不是E级?看一张图,
  • 关键字: 三极管  无源器件  电路设计  

滤波器截止频率为什么是-3dB?

  • 截止频率是描述滤波器性能的一个指标。对于一个滤波器,在其输入信号幅度保持不变的情况下,只改变输入信号的频率,当其输出信号幅度下降为输入信号幅度的0.707倍,即-3dB时,此时的频率即为该滤波器的截止频率。一、理论分析对于上图所示的一个滤波器,根据串联分压原理,其输出信号可以看出,随着输入信号频率的升高,其输出信号幅度越来越小,所以高频信号难以通过该电路,因此,该滤波器为低通滤波器。当输出信号幅度下降为输入信号的0.707倍,即-3dB时,可以得出其截止频率此时,假定一个输入信号,其频率为截止频率则电容容
  • 关键字: 滤波器  截止频率  电路设计  

运算放大器的应用讲解

  • 今天开始讨论运算放大器引入负反馈后的电路应用,先从最简单的跟随器说起,也就是直接将运放输出端连接到运放负输入端,如下图:根据运放的特性,有负反馈的情况下,其正输入端和负输入端压差为0,也就是Vin- = Vin+ ,而 Vout = Vin-,所以,Vout = Vin+。运放的输出端 Vout 在其电源 VCC 范围内,等于 Vin+ ,也就是电压跟随器,也称缓冲器。跟随器的应用电压跟随器的应用举例:信号采集电路,下图中滑动变阻器产生的电压信号模拟某传感器的电压输出信号。如果想要知道某一部分电路的作用,
  • 关键字: 运算放大器  电路设计  

放大电路的频响分析

  • 在分析放大电路的频响特性时,实际上解决的是放大电路的低频截止频率ωL(或fL)和高频截止频率ωh(或fh)与电路结构、元件参数之间的关系问题。对所设计的放大电路,总希望中频增益范围越宽越好。然而,由于有耦合电容和旁路电容的影响,在频率的低端区增益会下降,而在频率的高端区,则由于分布电容及晶体管极间电容的影响增益也会下降,这样放大电路频带宽度将会受到一定的制约。通常根据通带的低端频率和高端频率来区分哪些电容对低频响应起作用,哪些电容对高频响应起作用,从而分别构造出相应的低频和高频的电路模型,以便对电路的频率
  • 关键字: 放大电路  电路设计  

开关电源BUCK电路传导和辐射噪声源和耦合路径分析

  • BUCK电路为典型的开关电源电路,为降压电路,其主要电路拓扑结构如下,随着开关管不停的通断,右边的输出电压低于左边的输入电压,从而实现降压功能。图 开关电源BUCK电路结构图我们首先来分析这个电路的主要干扰源,上一篇文章我们分析了开关电源的主要干扰源主要由3部分组成,含有高频流也就是大的di/dt回路和电压快速变化也就是大的dV/dt动点区域,以及地线上高频电流流过的区域形成的地噪声。1、BUCK电路主要干扰源头分析BUCK变换器中有两个电流快速变化的大的di/dt回路;当MOS管导通时候,二极管D截止,
  • 关键字: BUCK电  电路设计  降压电路  

手机充电器电路图和充电电流分解

MOS(场效应管)最常用的方法

  • MOS管使用方法1、NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为5~10V(G电位比S电位高);2、PMOS管的主回路电流方向为S→D,导通条件为VGS有一定的压差,一般为-5~-10V(S电位比G电位高)。1、使用NMOS当下管,S极直接接地(为固定值),只需将G极电压固定值6V即可导通;2、若使用NMOS当上管,D极接正电源,而S极的电压不固定,无法确定控制NMOS导通的G极电压,因为S极对地的电压有两种状态,MOS管截止时为低电平,导通时接近高电平VCC。当然NMOS也是
  • 关键字: MOS管  电路设计  

为什么MOS管需要提升关断速度?如何解决这个问题?

  • 今天咱们来聊聊为啥mos管开关得快点儿,还有怎么才能快点开关。mos管驱动有几种方法,我们知道,其中有一种是用专门的驱动芯片驱动,我们就以这个驱动设计为主。说起mos管关断,通常电压会比开通时高,所以关断的损失也会比开通时大,所以我们自然希望电路关断的速度能更快些。那么,咱咋能让mos管快些开关呢?咱们看看这张图在mos管开通时,电阻R1和R4限制了电流,这样就能给mos管电容充电;要注意的这儿,R1和R4的电阻值并非固定,而且,R1通常小于R4。当mos管关断时,R4电阻上的电压被限制在0.7V,一旦超
  • 关键字: MOS管  电路设计  

走廊多处开关,延时电路原理分析

  • 很多朋友肯定碰到过,想要好几个地方控制灯的情景,下面旺哥给大家介绍一个这种电路,非常巧妙。如下图:这个电路它是一个带有延时功能并且可以自动关灯功能的开关电路,我们只需按一下按钮,需要的照明灯便会立马亮起,并且在几分钟后可自动熄灭。还有一大优点就是它还可以同时控制多处照明灯,非常的适合用在大堂、楼道以及厕所等公共场所的照明。上面这个图展示的就是一种多处可以延时的开关电路,这个电路主要由桥式整流器、指示灯,延时网络控制单元、多处按钮以及晶闸管等多部分构成。下面具体分析电路:整流如上图,整流二极管VD1-VD4
  • 关键字: 延时电路  电路设计  

全波整流电路详细分析

  • 我们为了提高这个电路的整流效率并且减少Uo的交流分量,常常采用改进的全波整流电路的办法。这个电路是由两个半波整流电路组合而成的,和半波整流电路相比的话,全波整流电路具有更高的电源利用率,相当于负半周期没有浪费。它能够输出更高而且更稳定的直流电压。但是,这种电路的缺点在于需要使用带有抽头的电源变压器,这会使变压器的结构变得相对复杂一些。如上图,变压器T的次级线圈的匝数是为半波整流时次级线圈匝数的2倍,这个线圈被分为中心抽头L2和L3两部分。在上面这个电路中,我们继续使用的是两个整流二极管,标号分别是二极管V
  • 关键字: 全波整流电路  电路设计  

把三极管当作稳压二极管来用,做一个闪灯电路,趣味电子DIY

  • 大家好,我是阿乐,今天跟大家分享一个很简单但是很有意思的小电路,先来看电路图:在上面的电路图中,用到了5个元器件:一个10K的电位器,一个4.7K的电阻,一个330uF的电解电容,一个NPN型的三极管,一个LED。下图是做好的电路实物,直接利用元器件的引脚搭棚焊接的:这个电路上电后的效果就是LED灯会一闪一闪的,是一个闪灯电路,我们可以先来看下动图:在电路图中,比较特殊的地方就是这个NPN三极管的接法:首先是它的基极不接,然后给发射极接高电位,集电极接低电位。第一眼看到这样的电路是不是觉得它不会工作,哪有
  • 关键字: 电路设计  三极管  

MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算

  • **1. 关于MOS管的极限参数说明:**在以上图中,我们需要持续关注的参数主要有:a. **ID(持续漏极电流)**:该参数含义是mos可以持续承受的电流值,在设计中,产品的实际通过电流值应远小于该值,至少应小于1/3以下,例:该mos管的使用持续电流应小于50A。b. **PD(mos管的最大耗散功率)**:该参数是指设计中,实际通过mos管的电流与漏源两端的电压差值乘积,不应大于该值。 所以该值的很大程度取决于mos管中实际流过的电流值。c. **Vgs(栅源电压范围)**:该值表示在mos管的实际
  • 关键字: MOS管  电路设计  
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大电容充电的“控制器”电路设计介绍

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