7月9日，深圳基本半导体股份有限公司子公司——基本封装测试（深圳）有限公司完成工商变更登记，公司注册资本从1000万元大幅增至2.1亿元人民币，由母公司基本半导体和深圳市投控基石新能源汽车产业私募股权投资基金合伙企业（有限合伙）共同注资。此举标志着基本半导体在车规级碳化硅领域的战略布局又迈出重要一步，为后续研发创新和产能扩充奠定坚实基础。战略资本加持 助力新能源汽车产业发展本次增资得到了深圳市投控基石新能源汽车产业基金的战略支持，是对基本半导体在新能源汽车功率器件领域技术积累和市场优势的充分认可。该基金是
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基本半导体
碳化硅
车规级
近日，深圳基本半导体股份有限公司（简称“基本半导体”）宣布完成D轮融资，融资金额达1.5亿元人民币。本轮融资由中山火炬开发区科创产业母基金与中山金控联合投资，资金将主要用于碳化硅功率器件的技术研发、产能扩张以及市场拓展。基本半导体成立于2016年，是一家专注于碳化硅功率器件研发与制造的高新技术企业。其核心产品包括1200V/20A JBS碳化硅二极管、1200V平面栅碳化硅器件以及10kV/2A SiC PiN二极管等。这些产品以低损耗、高频率等优势，广泛应用于电动汽车、轨道交通、光伏逆变器和航空航天等领
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基本半导体
碳化硅
为适应公司战略发展需要，经深圳市市场监督管理局核准，深圳基本半导体有限公司于2024年11月15日成功完成股份改制及工商变更登记手续，公司名称正式变更为“深圳基本半导体股份有限公司”。此次股份改制是基本半导体发展的重要里程碑，标志着公司治理结构、经营机制和组织形式得到全方位重塑，将迈入全新的发展阶段。从即日起，公司所有业务经营活动将统一采用新名称“深圳基本半导体股份有限公司”。公司注册地址变更至青铜剑科技集团总部大楼，详细地址为：深圳市坪山区龙田街道老坑社区光科一路6号青铜剑科技大厦1栋801。股改完成后
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基本半导体
铜烧结
碳化硅
功率芯片
引言：随着新能源汽车产业的蓬勃发展，功率密度的不断提升与服役条件的日趋苛刻给车载功率模块封装技术带来了更严峻的挑战。碳化硅凭借其优异的材料特性，成为了下一代车载功率芯片的理想选择。同时，高温、高压、高频、大电流的工作环境对碳化硅模块内部封装材料的互连可靠性提出了更高要求，开发与碳化硅功率芯片匹配的新型互连材料和工艺亟需同步推进。传统互连材料的局限传统的高温锡基焊料和银烧结技术已在功率模块行业中活跃多年，但它们各自存在一定短板。例如，锡基焊料耐高温性能不足，热导率、电导率偏低，在高温下存在蠕变失效的风险，在
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基本半导体
铜烧结
碳化硅
功率模块
4月24日，基本半导体车规级碳化硅芯片产线通线仪式在深圳市光明区举行。此次车规级碳化硅芯片产线的成功通线，是基本半导体打造国产碳化硅功率器件IDM领先企业的一大重要战略布局。据官微介绍，基本半导体车规级碳化硅芯片产线项目获得国家工信部的产业专项支持，并连续两年入选深圳市年度重大项目，厂区面积13000平方米，配备光刻、氧化、激活、注入、薄膜、刻蚀等专业设备，主要产品为6英寸碳化硅MOSFET晶圆等，产线达产后每年可保障约50万辆新能源汽车的相关芯片需求。项目通过打造垂直整合制造模式，加快设计、制造共同迭代
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基本半导体
车规级
碳化硅
日前，深圳基本半导体有限公司（以下简称“基本半导体”）与全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）在位于日本京都的罗姆总部签订车载碳化硅功率器件战略合作伙伴协议。 罗姆董事长松本功（图左）、基本半导体总经理和巍巍（图右）出席签约仪式 此次签约，双方将充分发挥各自的产业优势，就碳化硅功率器件的创新升级、性能提升等方面展开深度合作，开发出更先进、更高效、更可靠的新能源汽车碳化硅解决方案。此外，作为第一批合作成果，融合了双方技术的车载功率模块将提供给多家大型汽车企业
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基本半导体
罗姆
2022年9月20日，国内第三代半导体碳化硅头部企业——基本半导体完成C4轮融资，由新股东德载厚资本、国华投资、新高地等机构联合投资，现有股东屹唐长厚、中美绿色基金等机构继续追加投资。本轮融资将用于进一步加强碳化硅产业链关键环节的研发制造能力，提升产能规模，支撑碳化硅产品在新能源汽车、光伏储能等市场的大规模应用，全方位提升基本半导体在碳化硅功率半导体行业的核心竞争力。这是基本半导体在今年完成的又一轮融资。6月和7月，该公司分别完成了C2和C3轮两轮融资。连续多轮资本的加持，充分印证了基本半导体在业务加速拓
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基本半导体
代半导体
碳化硅
9月17日，专注于第三代半导体基本半导体功率器件的深圳基本半导体有限公司完成C1轮融资，由现有股东博世创投、力合金控，以及新股东松禾资本、佳银基金、中美绿色基金、厚土资本等机构联合投资。本轮融资将继续用于加速碳化硅功率器件的研发和产业化进程。当前，第三代半导体正处于快速发展的黄金赛道。基本半导体经过多年深耕，掌握了国际领先的碳化硅核心技术，研发领域覆盖碳化硅的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链，先后推出全电流电压等级的碳化硅肖特基二极管及MOSFET、车规级碳化硅功率模块、碳化硅驱
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基本半导体
基本半导体
第三代半导体
相比于数字半导体，我国在模拟与功率半导体的差距要更大一些，因为功率器件不仅仅是产品设计的问题，还涉及到材料等多个技术环节的突破。其中第三代功率器件也是我们重点迎头赶上的领域之一。作为国内第三代半导体领军企业，基本半导体技术营销副总监刘诚表示，公司致力于碳化硅功率器件的研发与产业化，核心产品包括碳化硅肖特基二极管、碳化MOSFET和车规级全碳化硅功率模块等，基本半导体碳化硅功率器件产品性能处于国内领先水平。新能源汽车是碳化硅功率器件最为重要的应用领域，市场潜力大，也是基本半导体要重点发力的市场。站在刘诚的角
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基本半导体
MOSFET
中国芯
11月20日，由中国科学技术协会与深圳市人民政府共同主办，中国科协企业创新服务中心、深圳市科学技术协会等单位承办，深圳市科技开发交流中心、深圳中欧创新中心等单位执行，基本半导体等单位协办的“2020中欧科技创新合作发展论坛”分论坛——“2020中欧第三代半导体产业高峰论坛”在深圳五洲宾馆隆重举行。论坛围绕第三代半导体行业的国际合作、市场热点和技术前沿话题，邀请中外半导体领域专家学者进行经验分享，探讨中欧半导体合作发展新路径。深圳市科学技术协会副主席张治平在致辞中表示，深圳市政府高度重视半导体产业的发展，推
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第三代半导体
碳化硅功率器件
基本半导体
青铜剑
近日，第十四届“中国集成电路产业促进大会”在青岛举办，现场揭晓了“中国芯”优秀产品征集结果，基本半导体车规级全碳化硅功率模块（BMB200120P1）荣获优秀技术创新产品奖。“中国芯”是国内集成电路产业的最高荣誉，被誉为我国集成电路设计业发展的风向标。工业和信息化部电子信息司司长乔跃山出席活动并发表致辞基本半导体董事长汪之涵博士（左起第五位）登台领奖中国集成电路产业促进大会现场集成电路产业是国家战略性新兴产业。“中国芯”优秀产品征集活动旨在征集国内集成电路领域产品创新、技术创新和应用创新成果，打造中国集成
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车规级全碳化硅功率模块（BMB200120P1）、基本半导体、中国芯、中国集成电路产业促进大会
挑战骄阳火焰山，何须芭蕉借又还。国产芯片真金质，不惧火炼过楼兰。——郑广州国创中心副总经理8月14日，国家新能源汽车技术创新中心（简称“国创中心”）邀请基本半导体等13家国内整车和半导体企业的专家，实地开展“中国车规半导体首批测试验证项目吐鲁番高温试验”活动，并举行了车规半导体测试验证项目高温测试技术研讨会。自2019年7月底开始，国创中心携搭载了国产自主硅基IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、碳化硅二极管和碳化硅MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）的4辆试验车，在吐鲁番进行为期一个月的“极限高温”
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国产芯片
基本半导体
极限高温测试
日前，基本半导体与NetPower签订战略合作协议，双方将共同开发欧美地区第三代半导体市场。这是基本半导体继成立瑞典海外营销中心后，公司国际化战略的又一里程碑。根据合作协议，NetPower正式成为基本半导体欧美地区授权分销商，为欧洲及北美客户提供基本半导体全线碳化硅功率器件产品销售、方案咨询和售后等相关服务。此次战略合作的达成，将实现基本半导体与NetPower的优势互补与资源有效整合，为基本半导体全面实施国际化经营战略，提升品牌的国际知名度提供有力支撑。NetPower于2000年在美国德克萨斯州成立
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基本半导体
第三代半导体
NetPower
深圳市人民政府主办，深圳市人力资源和社会保障局、深圳市坪山区人民政府承办的中国深圳创新创业大赛第三届国际赛英国伦敦分站赛，于英国时间3月22日下午在英国伦敦顺利举行，比赛最终决出今年4月份前往深圳参加全球总决赛的10个晋级项目。 深圳市人力资源和社会保障局党组成员、局机关党委专职副书记杜斌出席活动并致辞。杜斌表示，深圳是中国改革开放的窗口，是中国最早实施改革开放、影响最大、建设最好的经济特区，创造了世界工业化、城市化、现代化发展的奇迹。近年来，深圳坚定实施创新驱动发展战略，构建“基础研究+技术攻关+
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基本半导体
创新创业大赛
第三届国际赛英国伦敦分站赛
近日，全国政协副主席、致公党中央主席、中国科学技术协会主席万钢一行莅临深圳第三代半导体研究院调研。研究院院长赵玉海、副理事长吴玲等陪同调研。基本半导体作为深圳第三代半导体研究院发起共建单位受邀参加调研活动。 万钢主席一行在赵玉海院长陪同下详细了解了第三代半导体产业的发展情况，并参观了研究院碳化硅衬底、外延、器件、封装，硅基GaN外延，新能源汽车变换器等实物展品。 基本半导体董事长汪之涵博士、副总经理张振中博士和高级顾问高跃博士向万钢一行汇报了基本半导体在碳化硅功率器件领域的创新成果，介绍了自主研发
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万人计划
巍巍博士
第三代半导体
11月4-7日，由中国电源学会与IEEE电力电子学会联合主办的第二届国际电力电子技术与应用会议暨博览会(IEEE PEAC
2018)在深圳隆重举行。基本半导体作为本次大会的金牌赞助商，重磅推出碳化硅MOSFET产品，反响热烈。 作为全球性的电力电子行业盛会，IEEE PEAC
2018可谓大咖云集，来自31个国家和地区的电力电子学术界和产业界的800余位代表参加了本次会议。大会主席、中国电源学会理事长徐德鸿教授主持开幕式并致开幕词，美国工程院院士、中国工程院外籍院士李泽元教授，中国工程院院
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碳化硅
第三代半导体
10月31日-11月2日，第92届中国电子展在上海新国际博览中心隆重举行。基本半导体亮相深圳坪山第三代半导体产业园展区，展示公司自主研发的碳化硅
MOSFET和碳化硅肖特基二极管等产品。 中国电子展是电子行业的年度盛会，集中展示电子元器件、集成电路、电子制造设备、测试测量、军民融合、物联网、汽车电子等产业，倾力打造从上游基础电子元器件到下游产品应用端的全产业链阵容。本次展会以“信息化带动工业化，电子技术促进产业升级”为主题，共有40000余名买家和专业观众观展，共同打造了一场电子行业年度盛会。
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碳化硅
第三代半导体
11月5日，在第二届国际电力电子技术与应用会议暨博览会期间，来自中国、日本和韩国的第三代半导体专家齐聚基本半导体，参加第三代半导体功率器件先进应用技术研讨会。 出席会议的嘉宾包括清华大学孙凯副教授和郑泽东副教授、上海交通大学马柯博士、华中科技大学蒋栋教授、长冈技术科学大学伊东淳一教授、东京都立大学和田圭二副教授、韩国亚洲大学Kyo-Beum
Lee教授、奥尔堡大学王雄飞博士和杨永恒博士等多所知名高校的专家学者和基本半导体研发团队。与会嘉宾分享了各自在第三代半导体功率器件领域的最新研究主题和方向，
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基本半导体
碳化硅
第三代半导体
近日，从深圳市人力资源和社会保障局传来喜讯，基本半导体凭借在人才引进方面的突出成果，获评“2018年度深圳市人才伯乐奖”。 深圳市人才伯乐奖是由深圳市政府设立，旨在鼓励企事业单位、人才中介组织等引进和举荐人才，以增强企业科技创新能力，提升城市核心竞争力。每年市政府通过评选伯乐奖对在本市人才培养、引进过程中作出贡献的单位及个人给予表彰和奖励。 基本半导体是第三代半导体领域的高新技术企业，从创立之初就非常重视人才的引进和培养。作为一家由海归博士创立的公司，基本半导体依托广泛的海外资源，成功引进了来自英
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碳化硅
第三代半导体
10月24日，由青铜剑科技、基本半导体、中欧创新中心联合主办的第二届中欧第三代半导体高峰论坛在深圳会展中心成功举行。 本届高峰论坛和第三代半导体产业技术创新战略联盟达成战略合作，与第十五届中国国际半导体照明论坛暨2018国际第三代半导体论坛同期举行，来自中国、欧洲及其他国家的专家学者、企业领袖同台论剑，给现场观众带来了一场第三代半导体产业的盛宴。 立足国际产业发展形势，从全球视角全面探讨第三代半导体发展的现状与趋势、面临的机遇与挑战，以及面向未来的战略与思考是中欧第三代半导体高峰论坛举办的宗旨。目
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3D SiC JBS二极管
4H 碳化硅PIN二极管
第三代半导体
中欧论坛
碳化硅(SiC)功率器件的出现大大提升了半导体器件的性能，对电力电子行业的发展具有重要意义。作为最先实现产业化的 SiC 器件，SiC JBS能提供近乎理想的动态性能，基本半导体自主研发的650 -1700V 3D SiC™系列碳化硅肖特基二极管(SiC JBS)已火热上市，凭借其优越性能广受市场追捧。 SiC JBS产品优势 作为单极型器件，SiC JBS在工作过程中没有少数载流子储存，其反向恢复电流主要取决于耗尽层结电容，反向恢复电荷以及反向恢复损耗比Si超快恢复二极管要低一到两个数量级。更重
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SiC
6月26日-28日，基本半导体成功参展PCIM Asia 2018上海国际电力元件、可再生能源管理展览会。 基本半导体展台以充满科技感和未来感的蓝白为主色调，独有的3D SiC™技术和自主研发的碳化硅功率器件吸引了众多国内外参展观众的眼球。 全球独创3D SiC™技术 展会期间，基本半导体技术团队详细介绍了公司独创的3D SiC™外延技术，该技术能够充分利用碳化硅的材料潜力，通过外延生长结构取代离子注入，使碳化硅器件在高温应用中拥有更高的稳定性。优良的外延质量和设计灵活性也有利于实现高电流密度的
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3D SiC技术
碳化硅功率器件
4月9日上午，国家集成电路产业投资基金总裁丁文武一行莅临基本半导体考察调研。 基本半导体董事长汪之涵博士向丁文武介绍了公司自主研发的碳化硅功率器件产品，包括性能达到国际一流水平的碳化硅JBS二极管和MOSFET三极管，以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圆片。 随后丁文武一行听取了基本半导体总经理和巍巍博士对公司发展情况的汇报。丁文武对基本半导体的技术创新和战略定位予以充分肯定，并鼓励公司团队再接再厉，立足创新驱动，不断发展壮大，成为中国第三代半导体产业的领军企业。 国家集成电路产业投资基金是为促进集
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功率芯片
集成电路
12月19日，中国半导体行业协会换届大会暨第七届会员大会、第七届理事会第一次会议在上海召开。基本半导体总经理和巍巍博士受邀出席并当选新一届中国半导体行业协会理事，以碳化硅为代表的第三代半导体受到行业广泛关注。 2017年全球半导体产业重新进入加速发展通道，预计全年市场规模将增长至3465亿美元，中国市场成全球半导体产业引擎，近三年来市场规模都以超过全球20%的速度快速增长。与此同时，发展第三代半导体产业已经上升到国家战略，在政策和市场的双重驱动下，第三代半导体行业将迎来增长爆发期。 工业和信息化部
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