- Infineon Technologies 开发了用于固态保护和配电设计的新型碳化硅 JFET 系列。这是继 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一产品。JFET 通过反向偏置 PN 结上的电场来控制电导率，而不是 MOSFET 中使用的绝缘层上的横向电场。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss） 和 2.3 mΩ （1200 V BDss） 的超低 R DS（ON），可显著降低导通损耗。大体通道优化的 SiC JFET 在短路
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英飞凌 SiC JFET 固态配电
- 近日，为推动下一代固态配电系统的发展，英飞凌科技股份公司正在扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出了新型CoolSiC™ JFET产品系列。新系列产品拥有极低的导通损耗、出色的关断能力和高可靠性，使其成为先进固态保护与配电系统的理想之选。凭借强大的短路能力、线性模式下的热稳定性以及精确的过压控制，CoolSiC™ JFET可在各种工业和汽车应用中实现可靠且高效的系统性能，包括固态断路器（SSCB）、AI数据中心热插拔模块、电子熔断器、电机软启动器、工业安全继电器以及汽车电池隔离开关等。英飞凌科技零碳工业功率
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英飞凌 CoolSiC JFET 固态配电
固态配电介绍
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