与传统硅芯片相比，单片集成 GaN 功率 IC 具有显着优势，包括卓越的效率、更小的尺寸、更高的速度和更低的成本。GaN 的特别之处在于其天然特性，例如更高的临界电场、更低的导通电阻和更小的寄生电容。半导体工程师现在正在采用一种称为单片集成的智能方法，该方法涉及将所有电路组件构建在单个芯片上，而不是连接单独的部件。工程师通常在称为硅基氮化镓或 SOI 基氮化镓晶圆的专用平台上构建这些系统，这些平台是构建在其之上的其他一切的基础。图 1.GaN功率IC的单片集成方法：（a）从供体晶圆到最终金属栅极形成的完整
无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出两款新型 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 封装，它们具有低热阻并便于光学检查。这两种封装均采用经过充分验证的 DFN 封装，坚固可靠。DHDFN-9-1（双散热器DFN）是一种薄的双面冷却封装，外形尺寸仅为10x10 mm，并采用侧边可湿焊盘技术，便于光学检查。它具有低热阻（Rth(JC)），可采用底部、顶部和双侧冷却方式运行，
在2013年第25届功率半导体器件和集成电路国际学术研讨会(International Symposium on Power Semiconductor Devices and Integrated Circuits, ISPSD)上，飞兆半导体的首席技术长Dan Kinzer被授予“ISPSD贡献奖”。
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