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功率 文章 进入功率技术社区

PA-Switch系列集成控制器在小功率DC-DC变换器中的应用(二)

  • 5.应用5.1 DPA-Switch的选择实际应用当中,选用何种型号的DPA-Switch,应根据变换器的最大输出功率、效率、散热以及成本等因素综合考虑。比较简便的方法是借助DPA-Switch的“输出功率-耗散功率关系表”
  • 关键字: DC-DC  变换器  应用  功率  控制器  系列  集成  PA-Switch  

DPA-Switch系列集成控制器在小功率DC-DC变换器中的应用(一)

  • 1.引言DPA-Switch是美国Power Integration公司推出的新型系列集成控制器,目前有DPA423R、DPA424R、DPA425R和DPA426R四种型号。该系列集成控制器采用CMOS工艺,其拓扑形式与TOPSwitch系列集成控制器相同,内部集成高
  • 关键字: DC-DC  变换器  应用  功率  控制器  系列  集成  DPA-Switch  

如何把电源的功率限制变为电流限制

  • 故障保护是所有电源控制器都有的一个重要功能。几乎所有应用都要求使用过载保护。对于峰值电流模式控制器而言,可以通过限制最大峰值电流来轻松实现这个功能。在非连续反向结构中,为峰值电流设置限制可最终限制电源
  • 关键字: 限制  变为  电流  功率  电源  如何  

Actel Libero IDE具备全新功率驱动布局和功率分析功能

  • Actel Libero IDE具备全新功率驱动布局和功率分析功能,为了扩展其业界领先的专门针对芯片级和系统级节省功率的解决方案,Actel公司宣布推出全新版本Libero集成设计环境(IDE),具备崭新的重要功能包括功率驱动布局,使设计人员得以进一步优化设计,并可减少典型设计的动态
  • 关键字: 功率  驱动  布局  分析  功能  全新  Libero  IDE  具备  Actel  

高功率白光LED芯片的散热问题

  • 就今天而言,白光LED仍旧存在着发光均一性不佳、封闭材料的寿命不长,而无法发挥白光LED被期待的应用优点。但就需求层面来看,不仅一般的照明用途,随着手机、LCDTV、汽车、医疗等的广泛应用积极的出现,使得最合适开
  • 关键字: 散热  问题  芯片  LED  白光  功率  

80C196MC波形发生器和智能功率模块在逆变器中的应用

  • 1 引言无源逆变技术在交流电动机调速、不间断电源、交-直-交变频电路等方面已经有了非常广泛的应用。而脉宽调制技术更是以其谐波抑制、动态响应、频率和效率等方面的明显优势取得了很大的发展。特别是在自关断器件出
  • 关键字: 模块  逆变器  应用  功率  智能  波形  发生器  80C196MC  

低功耗制造测试技术

  • 中心议题:动态功耗与测试之间的关系功率管理的重要性功率预算的表示解决方案:通过设计分割反映功...
  • 关键字: 低功耗  测试  功率  

TDA2009A功率放大电路

  • 这里介绍一个用TDA2009A功放集成电路制作的10+10W的立体声放大器(见图)。由于采用专用集成电路,使得它的制作变 ...
  • 关键字: TDA2009A  功率  放大电路  

基于APFC的超声发生器功率调节数字控制策略

  • 引言  由于各种原因的影响,电网中存在着电流谐波,由于电网阻抗的存在,谐波电流流过电网阻抗,会使负载端电压波形也出现畸变。此时系统的功率因数小于1,这样会给电网带来“污染”,同时也会影响超声发
  • 关键字: 数字  控制  策略  调节  功率  APFC  超声  发生器  基于  

晶体管15W甲类功率放大器

  • 一、 电路原理与特点1.功放部分(见图1)  由VT1、VT2组成差动放大电路,每管静态电流约为0.5mA。R3为VT1的 ...
  • 关键字: 晶体管  甲类  功率  放大器  

赏析多款巨无霸功率放大器

  • 巨无霸(Monster)这个词既有正面的含义又有反面的含义,它可以形容为庞然大物,另一方面也可以说是非常具有挑战 ...
  • 关键字: 巨无霸  功率  放大器  

一款典型的立体声功率放大器的制作

  • 本立体声功率放大器是以集成电路TDA2030A为主组成的立体声功率放大器,其采用典型的功率放大电路,具有失真小、 ...
  • 关键字: 典型  立体声  功率  放大器  

如何配置功率放大器达到最佳状态

  • 功率放大器在某种程度上主宰着整个系统能否提供良好的音质输出。  对于很多朋友来说,对放大器并不是十分 ...
  • 关键字: 功率  放大器  

功率MOSFET抗SEB能力的二维数值模拟

  • 摘要:在分析了单粒子烧毁(SEB)物理机制及相应仿真模型的基础上,研究了无缓冲层MOSFET准静态击穿特性曲线,明确了影响器件抗SEB能力的参数及决定因素。仿真研究了单缓冲层结构MOSFET,表明低掺杂缓冲层可提高器件负
  • 关键字: 二维数值  模拟  能力  SEB  MOSFET  功率  

IGBT整流器功率因数控制方法及CT损坏对整流器的影响

  • 1 引言  日立igbt整流器是一种电压型pwm整流器,具有能量双向流动、恒定直流电压控制,以及高功率因数控制(cosphi;asymp;1.0)等特点。使用该类型整流器除了实现高功率因数节省电能外,还能够减少电网谐波,省去
  • 关键字: 整流器  CT  损坏  影响  方法  控制  功率  因数  IGBT  
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功率介绍

概述  功率是指物体在单位时间内所做的功,即功率是描述做功快慢的物理量。功的数量一定,时间越短,功率值就越大。   求功率的公式为功率=功/时间   求功率的公式也为P=W/t =UI=I方R=U方/R   P表示功率,单位是“瓦特”,简称“瓦”,符号是“w”。W表示功,单位是“焦耳”,简称“焦”,符号是“J”。t表示时间,单位是“秒”,符号是“s”。因为W=F(f 力)*s(s位移)(功的 [ 查看详细 ]
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