支持头戴式产品等高分辨率实时监控显示器 东京—东芝公司(TOKYO：6502)于2014年5月27日宣布推出“TC358870XBG”，这是业内首个支持视频格式转换功能的4K高清多媒体接口(HDMI®)转双路MIPI® DSI桥接芯片。该产品现已开始提供样机，并计划于9月投入量产。 这一新型集成电路(IC)通过双DSI接口，提供分辨率可达4K的超高清画质(3840 x 2160像素)，刷新率达30帧/秒(fps)。此外，该产品还支持60帧/秒刷新率下的WQXGA (2560 x 1600)和120
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东芝 TC358870XBG IC
东京—东芝公司(TOKYO：6502)近日宣布推出“TC358870XBG”，这是业内首个[1]支持视频格式转换功能的4K高清多媒体接口(HDMI®)转双路MIPI® DSI桥接芯片。该产品现已开始提供样机，并计划于9月投入量产。 这一新型集成电路(IC)通过双DSI接口，提供分辨率可达4K的超高清画质(3840 x 2160像素)，刷新率达30帧/秒(fps)。此外，该产品还支持60帧/秒刷新率下的WQXGA (2560 x 1600)和120 fps下的全高清分辨率。其低延迟特性增强了实时游戏应
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东芝 TC358870XBG IC
东京—东芝公司(TOKYO：6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布，该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。 SBD适合各种应用，包括光伏发电系统用的服务器电源和功率调节器。此外，它还可作为开关电源中的硅二极管的替换件，能够将效率提升50%(东芝调查)。 SiC功率器件提供比当前硅器件更加稳定的运行，即便是在高电压
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东芝 SBD SiC
东京—东芝公司旗下半导体&存储产品公司(Semiconductor & Storage Products Company)今天宣布其门驱动光电耦合器阵容增添新成员，用于驱动中等功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款新的4A输出智能门驱动光电耦合器“TLP5214”采用纤薄的SO16L封装，并具有保护功能，可防止IGBT产生过流状况。这一新产品将于5月底开始量产出货。
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东芝 光电耦合器 TLP5214
日本半导体制造商株式会社东芝(Toshiba)旗下东芝半导体&存储产品公司宣布，将参加在上海举行的“上海国际电力元件、可再生能源管理展览会”(PCIM Asia 2014 )。本次展会于2014年6月17日至19日在上海世博展览馆拉开帷幕，东芝半导体&存储产品公司此次将展示其最新的、应用在电力领域的技术和产品。
展示产品简介:
IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor)
东芝在IGBT的基础上成功研发出&
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东芝 功率器件 光耦
东京—东芝公司今天宣布，该公司将推出TMPV7502XBG，从而扩大其TMPV750系列图像识别处理器的阵容。新产品提供小型封装(11mm × 11mm)，功耗更低(典型值为0.6W[1])，特别适用于小型相机模块。即日起将开始样品出货，计划于2014年11月投入量产。
新产品可用于驾驶辅助系统，后者通过车辆后视镜和电子后视镜捕捉的图像来识别车辆和行人。此外，新产品还能在不同智能社区(Smart Community)相关的应用中处理智能相机功能，应用包括公路上和十字路口使
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东芝 相机 图像识别
日本半导体制造商株式会社东芝(Toshiba)旗下东芝半导体&存储产品公司宣布，将参加在上海举行的“上海国际电力元件、可再生能源管理展览会”(PCIM Asia 2014 )。本次展会于2014年6月17日至19日在上海世博展览馆拉开帷幕，东芝半导体&存储产品公司此次将展示其最新的、应用在电力领域的技术和产品。 展示产品简介: 1. IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor) 东芝在IGBT的基础上成功研发出“注入增强”(IE：Inject
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东芝 IEGT SiC
前言： 在应对着苹果iPad所带来的冲击的同时，传统电脑厂商正在努力使笔记本电脑变得更加轻薄小巧。如何使传统笔记本电脑更为小巧便携呢?方法无外乎两种，一种是像上网本一样缩减整机尺寸，这样可更加利于用户携带，但性能与续航的缺点则不容忽视。另一种方法是减少整机重量和厚度，就像苹果MacBook Air一样，在保留标准13英寸屏幕的同时，操控与性能也得以延续，而在价格上却要高出不少。
拥有25年笔记本制造经验的东芝最近推出了一款超轻薄笔记本电脑产品-R700，这款产品还有一
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东芝 R700
东芝公司(TOKYO：6502)旗下半导体&存储产品公司(Semiconductor & Storage Products Company)于2014年5月20日宣布其门驱动光电耦合器阵容增添新成员，用于驱动中等功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款新的4A输出智能门驱动光电耦合器“TLP5214”采用纤薄的SO16L封装，并具有保护功能，可防止IGBT产生过流状况。这一新产品将于5月底开始量产出货。
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东芝 TLP5214 SO16L IGBT
6月4日中午消息，日本东芝公司昨日宣布，已在台湾法院控告力晶科技、智旺科技、力积电子与瑄誉科技(C.T.C)，指控四家台湾公司侵害东芝NAND闪存专利。力晶表示，目前已收到相关文件，闪存相关业务占力晶业务比重低，对公司营运影响不大。
东芝目前要求新台币1亿元赔偿金，并计划日后提高索赔金额。东芝也要求被告停止销售和制造被控侵权的产品。东芝在1987年发明NAND闪存，是目前全球主要制造商之一。NAND闪存广泛用于智能手机。
东芝表示，已在台湾的知识产权法院提出控诉，控告力晶等四家公司侵害东芝
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东芝 力晶
日本半导体制造商株式会社东芝(Toshiba)旗下东芝半导体&存储产品公司宣布，将参加在上海举行的“上海国际电力元件、可再生能源管理展览会”(PCIM Asia 2014 )。本次展会于2014年6月17日至19日在上海世博展览馆拉开帷幕，东芝半导体&存储产品公司此次将展示其最新的、应用在电力领域的技术和产品。 东芝电子将展出其IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)专利产品、Stack(压接装置)产品、SiC(混合型IEGT)产品、IPD +
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东芝 PCIM IEGT
东京—东芝公司(TOKYO：6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布，即日起开始提供符合JEDEC UFS[1] 2.0版本标准的32GB和64GB嵌入式NAND闪存模块的样品出货。东芝在业内率先提供此产品[2]。 这两种模块还集成了UFS 2.0版本的可选功能——5.8Gbps高速MIPI® M-PHY®[3]HS-G3 I/F，并实现了超高性能，包括650MB/s的读取速度和180MB/s的写入速度。
传输速度的加快可缩短各
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东芝 嵌入式 闪存
东京—东芝公司(TOKYO：6502)半导体&存储产品公司今天宣布，该公司推出小型SO6封装的光电耦合器。新产品“TLP3905”和“TLP3906”即日起投入量产。
光电耦合器采用不含MOSFET芯片的光控继电器结构。用户可通过将光电耦合器与外部可选MOSFET相结合，从而创建一个隔离继电器。这样可获得更大的电压和电流，超越现有光控继电器产品的性能。
新产品“TLP3905”和&ldquo
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东芝 TLP3905 TLP3906 电流控制
首款符合高速UHS-II接口标准的产品
东京—东芝公司(TOKYO：6502)于2014年4月17日宣布，该公司将推出全球速度最快[1] 的microSD存储卡。该存储卡符合SD存储卡标准4.20版定义的超高速串行总线接口UHS-II[2]标准。即日起为智能手机和其他移动设备制造商以及芯片供应商提供样品。
这款新的microSD存储卡将包含32GB和64GB两种容量。32GB卡的最大读取速度可达到每秒260MB[3] ，最大写入速度可达每秒240MB;64GB卡的最大读取速
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东芝 microSD UHS-II
继电器的继电特性如图2所示
其中，横坐标Ia是吸合电流;Ir是释放电流;Iw是工作电流;Ik是维持电流。它们的关系是Ir
通常为了继电器可靠工作，必须Iw>Ia ，否则就不可能使继电器吸合。
本电路的巧妙之处就在于：晶体管一旦有输入，就使其成为开关状态，流过继电器电流大于Ia则继电器吸合。当电容器充满电之后，流过继电器线圈的电流则减小至Ik，仍保持继电器在吸合状态。
下面分两种情况进行分析
稳定状态
其中，U=12V为电源电压;Uce为硅管的集电极到发
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电源电压 电容器 脉冲电流 继电器 二极管 201405
东芝.继电器介绍
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