透明非结晶氧化物半导体FET技术 备受瞩目 —— 作者： 时间：2005-07-13 来源： 加入技术交流群 扫码加入和技术大咖面对面交流海量资料库查询 收藏 <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a635e61e&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a576c0a2&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> “2005年有源矩阵型液晶显示器国际研讨会（AM-LCD '05）”的第2天，在三场专题会议上总计发表了10场特邀演讲，另有2条快讯，还有44项海报展示，内容非常丰富。其中的压轴戏就是东京工业大学教授细野秀雄所做的题为《Transparent High Performance FET Using Amorphous Oxide Semiconductors》的技术发表。细野曾因2004年底在《自然》科学杂志上发表《室温下在塑料底板上形成迁移率为10cm2
加入技术交流群
评论