NS推出两款超小型的门极驱动器

美国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation) 推出两款属于高压功率控制集成电路系列的最新产品，为直流/直流电源供应系统提供两个高效率的功率转换解决方案。型号为 LM5111 的双通道门极驱动器及型号为 LM5112 的单通道门极驱动器都采用业内最小巧的封装，而且设计非常灵活，因此是驱动大型功率金属氧化半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的理想驱动器，最适用于交流/直流与直流/直流转换器、马达驱动系统及工业控制系统。

采用小型 LLP-6 封装 (3 mm x 3 mm) 的 LM5112 芯片可与美国国家半导体的 LM5000 系列脉冲宽度调制控制器及 LM510x 系列半桥式驱动器组合，成为设计高性能直流/直流转换器的理想芯片组。

美国国家半导体电源管理产品部市场营销总监 Paul Greenland 表示：「美国国家半导体的电源管理芯片产品一直享誉业界，其特点是采用外型小巧、具有高度散热能力的封装。LM5111 及 LM5112 这两款驱动器的推出显示美国国家半导体秉承这个优良传统，继续为系统设计工程师提供极具灵活性的电源管理技术，确保体积小巧的高效率功率转换器可以充分发挥其性能。以 LM5112 为例来说，这款芯片虽然采用业内最小、散热能力更高的封装，但仍可输出强大的 7A 峰值门极驱动电流。这款芯片可与美国国家半导体任何一款脉冲宽度调制控制器组合成为全新的芯片组，为功率转换器提供一个高速而完善的初级或次级电源解决方案。」

LM5112 芯片能以极高的速度操作，延迟时间也极短，而且可以输出极高的峰值电流。这款芯片采用美国国家半导体的高压模拟Bi CMOS-DMOS (ABCD) 技术制造，其复合式输出驱动级内含金属氧化半导体 (MOS) 及双极晶体管，而且两者可以并行操作。由于 LM5112 芯片采用这样独特的组合，因此可以从电容负载超过 7A 的峰值电流，并且以高达 1MHz 的频率驱动较大的功率 MOSFET。如此独特的复合式驱动级有一个很重要的优点，那就是操作时性能更为可靠，因为即使供电电压及温度出现波动，复合式驱动级可以减低这些波动所产生的影响，有助保持驱动电流的稳定性。

LM5112 芯片也为输入及输出级提供独立的接地及参考电压管脚，以便支持采用分开供电设计的门极驱动配置。这款芯片设有双逻辑电路接口，可以接收反相或非反相的信号，由于其接口具有这样的灵活性，因此这款芯片可与市场上绝大部分控制器及微处理器相匹配。

LM5111 芯片设有两个可输出足 5A 峰值电流的驱动器，而且由于采用 SOIC-8 封装，因此可以直接取替许多旧式的 CMOS 门极驱动解决方案。 LM5111 芯片的峰值输出电流高达 5A，比上一代的技术只能输出 2A 峰值电流优胜，而且效率也比上一代技术高。虽然 LM5111 是双通道的芯片而 LM5112 则是单通道的芯片，但两者都采用同一的先进复合式驱动技术及负极输出门极驱动技术。在正常操作情况下，LM5111 的两条 5A 峰值电流驱动通道均各自独立，但若有需要，这两条通道可与输入及输出端并行连接，将峰值输出驱动电流提高一倍至 10A，以便能够以极高的效率及高达 1MHz 的速度驱动极大的功率 MOSFET。LM5111 芯片分别有三种不同的型号可供选择，这三个型号都可各自接收三种不同的输入信号。换言之，厂商客户可以选择非反相信号通道、反相信号通道或两种信号都可同样接收的通道。