集成无源元件对PCB技术发展的影响

　　(3)Dai Nippon

　　Dai Nippon发展的IPD电阻以Ti/Cr为主，电容采用阳极氧化形成Ta2O5的制程，电感设计为有微带线和螺旋电感，线路以铜为主。如图4.

　　(4)SyChip

　　SyChip发展的IPD以TaSi为电阻材料，电容的介电材料为Si3N4，上电极为Al，下电极为TaSi，电感和线路材料都采用铝。

　　如图5.

　　有一些公司正在采用MEMS工艺来发展IPD，如PHS MEMS公司，据该公司解释，制造MEMS元件的方法基本上来自IC产业。同时，一些老牌公司在开发相关技术的同时，也通过收购等手段获得市场和技术，如村田(Murata)就收购了SyChip公司，期望通过该次收购扩张其在射频应用市场的份额。

　　4薄膜集成无源元件技术的结构与制程

　　薄膜制程与厚膜制程最大的差异就在于产生的膜厚，一般所谓的厚膜厚度多在5μm ~ 10μm以上，而薄膜制程产生的膜厚约在0.01μm ~ 1μm之间。

　　如果利用薄膜制程同时形成电阻。电容。电感的元件，需要用不同的制程与材料来制作。薄膜技术应用在半导体集成电路制程，技术发展已经相当成熟，所以在进行制程整合时，只需注意不同元件间材料的相容性，即可达成制程的设计。

　　整体而言，薄膜IPD集成无源元件，可因不同的产品应用，制作在不同的基板上，基板可选择硅晶片。氧化铝陶瓷基板。玻璃基板。薄膜IPD集成无源元件技术可以集成薄膜电阻。电容和电感于一体，其制程技术开发，包括：微影加工技术。薄膜沉积加工技术。蚀刻加工技术。电镀加工技术。无电极电镀加工技术，整个加工流程如图6所示。除了无源元件的整合，在硅晶片上也可以结合主动元件的制程，将无源元件与主动元件电路整合以达到多功能化的需求。下面就薄膜电阻。电容和电感的加工分别作简单介绍。

　　(1)薄膜电阻加工

　　薄膜电阻的制作方式通常利用溅射制程，电阻材料电镀于绝缘基材上，再利用光阻与刻蚀的技术，加工出电阻图形以获得设计的电阻值，其制程示意图如图7所示。

　　在材料的运用上，需要考虑电阻材料的TCR即不同温度下的电阻变化率。薄膜电阻的形成方式有真空蒸镀。溅射。热分解以及电镀，而常用的电阻材料则包含有单一成分金属。合金及金属陶瓷三类。

　　(2)薄膜电容加工

　　因为MIS(Metal-Insulator-Semiconductor金属-绝缘体-半导体结构)薄膜电容利用半导体作为底电极，使电容本身具有寄生电阻，造成元件的共振频率降低，无法应用于200 MHz以上的率，所以高频的应用就必须要选择MIM(Metal-Insulator-Metal金属-绝缘体-半导体结构)薄膜电容，MIM电容可降低寄生电阻值，进而提高元件共振频率，而共振频率则是取决于介电材料的自振频率。与薄膜电阻一样，薄膜电容需要考虑电容变化率，并且介电常数也需要考虑，其制程示意图如图9所示。