平板端射天线阵馈电特性的研究
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表1025单元中心列各单元受互耦影响特性变化趋势的仿真结果与实测结果对比表
软件仿真 | 实验测试 | |
S11幅度（dB） | 0.9981.02511.0941.031 | 1.0360.90910.9271.036 |
S11相位（度） | 1.0071.01511.0061.015 | 1.0761.10910.9571.118 |
驻波比 | 1.0020.97610.9190.972 | 0.9691.12511.0931 |
输入电阻（欧） | 0.9890.99511.0420.998 | 0.9280.82711.0230.880 |
输入电抗（欧） | 0.9930.98610.9550.981 | 0.9380.98611.0780.916 |
经过数据统计和分析对比，可以看到，馈电特性的各项指标，仿真的结果变化趋势和实验所测的变化趋势基本一致，但是由于实际测试的阵列与仿真设计的阵列结构有一定的差别，在某些拐点处的偏差还比较大，但通过对比还是较好地验证了仿真分析的准确性，说明了利用软件模拟组阵模型分析互耦影响具有可靠性。
5结论
针对相控阵平板端射天线，本文主要做了有关天线单元耦合情况分析的研究，采用了计算仿真与实验测试相结合的方式，在轴向排列，横向排列，周边排列三种不同角度上逐次分析阵中单元的辐射特性变化以及耦合影响的原因，通过实际测试的结果进行对比，验证了计算仿真结果的正确性，同时也发现了一些不如预期的问题。本文还发现了单元处于阵中和处于自由空间条件差异时，s11相位和输入阻抗变化的趋势和规律，为今后做移相器的改进和添加匹配网络提供了实验基础。
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