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基于SiC器件的高效E类功率放大器

作者: 时间:2014-07-17 来源:网络 收藏

本文引用地址:https://www.eepw.com.cn/article/259352.htm

图7 漏极随工作电压的变化曲线

图8 附加随工作电压的变化曲线

6 结论和展望

本文设计,仿真并制作了基于SiC MESFET器件的L波段,输入输出阻抗匹配电路均采用微带线实现。在工作电压设为35V,输入功率为2.5W的情况下,实际测量的输出功率可以达到32.5W,在频率为900MHz附近,漏极可以达到64%,增益可以达到10dBm。从以上特性可以看出,基于SiC器件的E类功放具有很好的性能,在新一代的无线通信中将会有广阔的应用前景。


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关键词: SiCMESFET E类功率放大器 效率

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