一种输出可调CMOS带隙基准源
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从图2可以看出当1.25 V输出时，基准电压对VDD的偏差为一个正值：20 mV/V,这个值相对于分压型电路，偏差值几乎完全不受电源电压的影响，达到了设计要求。从图3可以看出，基准电压对温度的偏差为负温度系数,为-1.37 mV/℃。
同样,当250 mV输出时对VDD的偏差为20 mV/V，这个值和1.25 V输出时对电源电压偏差值匹配良好，即说明本设计不论输出基准是多少伏，基准电压受VDD影响是一个定值。而基准电压在250 mV输出时对温度的偏差为一个负值,为-0.29 mV/℃。这个值较1.25 V输出时降低了很多，说明此电路当输出基准越小时，得到的温度特性越好。
从仿真结果可以看出输出电压稳定性良好，满足本设计要求。
本设计是在传统带隙基准电压源理论的基础上，对电路进行改进而得到
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