使电子电路免受损害的协同电路保护方案(一)
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图6表示PPTC元件过电流/过温度后，过电流/过温度故障消除以后，PPTC元件阻值的恢复曲线。可见，即使若干小时后，PPTC元件的阻值仍然大于初始阻值，电阻的减小将需持续一段较长的时间，最终电阻才会接近初始电阻，这个时间可能是几天、几个月或几年。但是，为了实现保护控制，要使PPTC元件的阻值恢复到初始值是不实际的。所以，选用PPTC元件时，在决定PPTC的保持电流就应考虑PPTC的初始电阻RImax的值，即PPTC元件动作后并恢复1小时后的电阻值这个参数。
2.5过电压保护器件（SiBar）
过电压保护器件按工作原理可以分为钳位型过电压保护器件和折返式过电压保护器件。常用的钳位型过电压保护器件有MOV（MetaloxideVaristors）和二极管，而折返式过电压保护器件有GDT和可控硅过电压保护器件，折返式过电压保护器件的I/V曲线如图7所示。图7中有关参数的含义如表2所示。折返式过电压保护器件较钳位型过电压保护器件具有体积小和功耗低的优点。SiBar就是一种N型半导体的折返式的可控硅浪涌过电压保护器件（TSP）。
SiBar在浪涌电压超过击穿电压时候起分流的作用。当浪涌电压超过击穿电压时，SiBar工作在保护特性曲线的低阻区，形成一个低阻通路，有效地降低过电压。SiBar器件保持低阻状态直到流过该器件的电流下降到低于保持电流。在过电压事件过去之后，SiBar器件自动恢复到高阻状态，系统正常工作，TVS二极管与SiBar晶闸管性能比较如表1所示。
表1TVS二极管与SiBar晶闸管性能比较
装置 | 峰值I（A） | 峰值V(V) | 平均I（A） | 平均V(V) |
TVS二极管 | 23.4 | 124.8 | 4.37 | 74.19 |
SiBar晶闸管 | 23.8 | 89.6 | 5.41 | 25.33 |
在实用中，SiBar可用于照明、交流电源线和地移的保护应用场合。
表2图7中有关参数的含义
参数 | 参数的含义 | 参数 | 参数的含义 |
IBO（击穿电流） | 在击穿电压（VBO）下流过折返式过电压保护器件的瞬态电流 | VD（关态电压） | 在关态下加在折返式过电压保护器件两端的电直流电压 |
VBO（击穿电压） | 在击穿工作区，在折返式过电压保护器件两端的最大电压，这个指标是在特定的电流和电压上升率下测得的 | IH（保持电流） | 折返式过电压保护器件保持通态时所需要的最低电流 |
ISD（关态电流） | 在关态直流电压VD下流过折返式过电压保护器件的直流电流 | VT（通态电压） | 在规定通态电流IT下，折返式过电压保护器件两端的电压 |
IT（通态电流） | 折返式过电压保护器件在通态时通过器件的电流 | IPP（非重复脉冲峰值电流） | 在这个所加特定形状的非重复脉冲峰值额定电流值下应不损坏过电压保护器件 |
IBR（击穿电流） | 在击穿工作状态下的工作电流 | VBR（击穿电压） | 在击穿工作状态下，在IBR击穿电流前器件两端的工作电压 |
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