为5V 1-Wire从器件提供过压保护 作者： 时间：2012-03-18 来源：网络 加入技术交流群 扫码加入和技术大咖面对面交流海量资料库查询 收藏 <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a635e61e&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a576c0a2&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 2的VCE击穿电压Q1的VGD和VDS击穿电压 LT1004 (U1)的最大电流为20mA，2N3906 (Q2)的击穿电压为40V，Q1击穿电压为350V。受限制的元件为Q2。40V时，通过U1的电流为143µA，远远低于20mA限值。 总结 如果能够保护5V器件不受编程脉冲的冲击，则可以在同一总线上使用1-Wire EPROM和5V 1-Wire器件。图2所示简单保护电路一定条件下可以起到保护作用，但MOSFET的栅极至源极关断电压的变化范围很宽，所以并非最佳选择，需要采用“匹配”的晶体管和并联基准。图4所示电路可调节补偿MOSFET的容限，但对1-Wire主控器件形成了较大负载。由于PSSI2021SAY耐压高达75V，该电路具有高达75V的保护能力。图7所示电路的功能类似于图4，但可获得更好的性能，对1-Wire主控器件形成的负载也低得多。其保护电压为40V，受限于Q2。通过选择具有较高VCE击穿电压的晶体管，可提高保护水平。 上一页 1 2 下一页
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