基于一阶温度补偿技术的CMOS带隙基准电压源电路 作者： 时间：2012-12-20 来源：网络 加入技术交流群 扫码加入和技术大咖面对面交流海量资料库查询 收藏 <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a635e61e&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a576c0a2&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 电路的温度系数达到了10x10-6／℃，室温下电路的功耗为5.2831mW，电路低频时的电源抑制比特性还不是很好，还有待于进一步的提高，高频时的电源抑制比非常好，因此本电路可以广泛应用于低功耗，低温漂，高频集成电路中。 上一页 1 2 下一页
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