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工程师分享:无荧光体双波长白光LED分析

作者: 时间:2011-11-01 来源:网络 收藏
sp; 一般AlGanInP系的VF值20mA时大约2V左右,InGaN系则高达3.3V,换句话说InGaN系双波长白光,应用在携带型电子机器时,必需使用专用驱动IC

使用新型封装方式的双波长,并未调整LED的电流值,因此研究人员正在开发利用定电压驱动发光组件,以及可以提高LED的演色性的封装技术。

双波长与红光一起封装,经过混色变成白光(图9),然而如此一来各芯片彼此的VF值截然不同,随着各的辉度、波长分布不同,必需进行复杂的电流值限制调整。

新开发的封装方式

此外封装后的散热、硅胶也是有待克服的课题,因此研究人员正在开发全新的对策技术。

目前ψ3与ψ5炮弹型双波长已经开始量产,今后将推出3mm与5mm正方SMD用双波长

图10是抑制色调分布与组件高度,制成的超薄型LCD背光照明模块,如图所示白光LED直接固定在薄型基板表面,接着再搭配特殊遮光罩,与超薄型导光板进行侧边发光,模块总厚度只有0.25mm,非常适合移动电话等携带型电子机器使用。

超薄型背光模组

  结语

以上介绍新型双波长白光LED。传统紫外光+RGB荧光体,与RGB多芯片方式的白光LED,都有周围组件容易劣化,或是波长漂移、控制复杂等问题。

新型双波长白光LED,除了可以彻底解决上述困扰之外,超短混色距离与纯净的色调,提供LED下游应用厂商另一项选择空间。未来如果顺利改善封装技术,与封装后的散热问题,双波长白光LED可望在电子机器系统的薄型化,扮演非常重要角色。


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关键词: LED LED芯片 白光LED

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