双极性器件还是CMOS器件比较

作者：时间：2012-02-11 来源：网络

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在这种工艺技术中必须权衡性能与漏电。一般来说，这些工艺的栅极长度在130nm到350nm之间，将来也可能达到到90nm。对于可移植设备而言，漏电流性能可随工艺、温度或电源的变化而变化，这是一个重要参数，因为它将直接影响电池的使用寿命。图4显示了采用NMOS工艺设备的漏电流(Ioff)与驱动电流(Idrive)随温度变化而变化的情况。Idrive与温度变化关系不大，而Ioff则具有显著的温度相关性。图5是PMOS设备的温度相关性图。由于温度变化幅度不大，Ioff随温度变动的情况可以接受。图6所示的是环形振荡器频率，是一项显示设备电源电压功能典型的品质因数，在实际应用中也可作为权衡漏电与性能的准则。

　　图4：NMOS设备中漏电流与驱动电流随温度变化

　　图5：PMOS设备中漏电流与驱动电流随温度变化

　　图6：环形振荡器频率被看作电源功能之一

设计低功耗混合信号设备的另一个重要组件是高可靠性、小型、低功耗非易失性存储器。铁电存储器(FRAM)可提供独特的性能，是众多应用中极具吸引力的非易失性存储器选择，其与众不同的特性包括类似RAM的快速写入速度、低电压低功耗写入工作、超长使用寿命以及高灵活度的架构等。该存储器已经集成至上文所述的低功耗数字工艺技术中。

　　FRAM的工作电压为1.5V，与浮栅器件不同，它不需要充电泵。与所有非易失性存储器一样，其可靠性问题主要涉及写入/读取周期持久性、数据保持以及高温使用寿命。即便在多次工作之后，FRAM也可保持优异的非周期和周期位性能。

　　封装技术

　　当需要在同一IC中实现不同性能指标时，可高效使用封装技术。例如，一些应用需要同时具有低噪声、低功耗数字性能，可通过将两种不同工艺的硅裸片布置在同一封装中来实现。可将硅裸片进行堆栈，节省电路板空间。随着封装技术的不断发展，还可将电感器与电容器等无源元件集成在封装内。板上裸片贴装(Chip on Board)技术能够将整个IC完全嵌入到印刷电路板中，为密集型应用节省宝贵的空间。