高精度CMOS带隙基准源的设计
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式中：△VBE表现出正温度系数，而且此温度系数是与温度无关的常量。
将正、负温度系数的电压加权相加，就可以得到一个近似与温度无关的基准电压。常见的一阶可调基准源电路如图1所示。
式中：N为Q2与Q1的发射结面积之比，式(4)中第一项具有负的温度系数，第二项具有正、负温度系数，合理设计R0与R1的比值和N的值，就可以得到在某一温度下的零温度系数的一阶基准电压。式(5)中方括号内是约为1.25 V的一阶温度无关基准电压，通过调节R2/R0的比值，可以得到不同大小的基准电压。
2 电路结构及原理分析
图2为本文设计的基准源整体电路图，包含带隙核心电路、反馈补偿电路和启动电路。其中虚框a为带隙核心电路，虚框b为偏置及反馈补偿电路，虚框c为基准源启动电路。
2.1 带隙核心电路
图2中，由Mp1～Mp3，MN1，MN2，R1，R2和Q1，Q2组成的电路构成带隙核心电路。输入晶体管的偏置电流由PMOS电流源提供，可通过减小其电流，而不是减小其宽长比来降低负载器件的gm，从而增加其差动放大增益。
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