TDK 发布 HAL 3025 霍尔传感器 强抗磁干扰适配车用高速电机

TDK 集团旗下麦格纳思（Micronas）霍尔传感器产品线再添新品 ——HAL 3025。这款全新抗杂散磁场位置传感器，面向电动汽车高速电机控制及汽车安全关键系统应用。

该传感器集成模拟正弦 / 余弦输出功能，且满足 ASIL D 级功能安全标准，适用于线控转向、线控制动及高压牵引电机等场景。目前样品已对外供应，量产定于 2026 年第二季度。

对于电动汽车架构与工业电机系统研发行业的从业者而言，这款新品印证了市场对小型化、高集成度传感器的需求持续攀升，这类器件可在强电磁干扰环境下稳定工作。同时也体现出传感器厂商正在简化流程，帮助产品满足日趋严苛的汽车功能安全规范。

面向电动汽车高速电机控制设计

HAL 3025 搭载 TDK 麦格纳思六感技术（SixSense），可实现 360° 全角度位置检测。该技术能检测垂直磁场分量，并依照 ISO 11452-8 标准抑制交、直流外部杂散磁场。

传感器支持最高60000 转 / 分钟的转速，适配现代电驱系统与高速响应执行器。其模拟信号链路具备低延迟、高带宽特性，可通过差分或单端正弦 / 余弦输出，让外接电控单元、单片机精准计算转轴角度。

产品核心设计目标之一，是降低安全关键系统的架构复杂度。它采用单芯片方案，符合 ISO 26262:2018 标准，为预认证 ASIL D 级独立安全单元（SEooC）。芯片内置断线、过压等片上诊断功能，相比多芯片方案，有效节省板卡空间、减少物料清单成本。

优异抗杂散磁场性能 省去磁屏蔽设计

在布局紧凑的电动汽车中，传感元件常紧邻功率器件，而该传感器可简化这类电机布局设计。

它能够抵消周边电机、供电线路产生的磁干扰，无需额外加装磁屏蔽结构，也不必使用大尺寸磁体。搭配轴端布局的简易两极铁氧体磁体即可正常工作。

器件内置可编程非易失性存储器，可存储增益、偏移、正交度、零角度等校准参数。参数可通过输出引脚完成配置，产线校准阶段无需额外专用编程引脚。

产品采用 SOIC8 封装，引脚兼容同系列 HAL 3020、HAL 3021 传感器；结温工作范围为 - 40℃~170℃，可适应严苛的车载工况，面向新一代全线控汽车架构。