东芝推出适用于工业设备过流检测的高速响应、I/O全范围双通道比较器（CMOS）
加入技术交流群
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出一款双通道比较器（CMOS）——“TC75W71FU”。该产品具有高速响应和I/O全范围（轨到轨）的特点，适用于工业设备[1]中的过流检测。新产品于今日起开始出货。
工业设备在电机驱动和电源电路中通常使用大电流，随之而来的突发过流的风险可能引发损坏设备，导致生产线停工、甚至有安全隐患；因此，快速检测和保护至关重要。与此同时，在不断追求更高效率和产品小型化的过程中，电路可支持的电流和电压范围变窄，即使轻微的过流也会给电路带来沉重负担。这也进一步推动了对更快、更精确过流检测技术的需求。
图1 过流检测电路示例
新产品的传输延迟比现有的TC75W56FU更小，低电平转高电平最大为45ns，高电平转低电平最大为30ns[2]。这使得设备在过流时能够立即关断，从而提高运行安全性。
TC75W71FU的I/O电压支持从最小（GND）到最大（Vcc）的全范围输入输出电压，简化了设计。其最低工作电源电压为1.8V，支持低压运行。新比较器还具有推挽输出[3]，信号上升和下降时间短，无需外部上拉电阻，并且可以保持稳定的电压电平。
除了TC75W71FU之外，本次还推出增加迟滞性以强化抗噪能力的TC75W72FU，以及具有迟滞性和开漏输出[5]（能够向与比较器电源不同的电压域发送信号）的TC75W73FU[4]，并计划于2026年2月开始量产。
未来，东芝将继续开发有助于提高工业设备安全性和可靠性的比较器，并扩充产品阵容以满足客户的广泛需求。
■ 应用：
- 工业设备（工业机器人、UPS、光伏发电机、电源等）
- 消费类设备（家用电器、电源等）
■ 特性：
- I/O全范围
- 低电压驱动：1.8V
- 高速响应：tPLH 45ns（最大值），tPHL 30ns（最大值）（VDD＝3.3V）
■ 主要规格：
器件型号 | TC75W71FU | TC75W72FU[6] | TC75W73FU[6] | ||
封装（封装代码） | SOT-505（SM8） | ||||
工作额定值 | 供电电压VDD（V） Topr＝–40°C至125°C | 1.8至5.5 | |||
DC特性 | 供电电流IDD（μA） VDD＝1.8V，VOUT＝High，VIN＝VSS，Ta＝25°C | 典型值 | 276 | ||
输入偏置电压 VIO（mV） VDD＝1.8V，VSS＜VIN＜VDD，Ta＝25°C | 最大值 | 17 | |||
输入迟滞电压 VHYST（mV） VIN＝VSS，VDD＝1.8V，Ta＝25°C | 典型值 | － | 3.5 | ||
低转高，100mV过驱动 tPLH（ns） VDD＝3.3V，Ta＝25°C | 典型值 | 23 | － | ||
最大值 | 45 | － | |||
高转低，100mV过驱动 tPLH（ns） VDD＝3.3V，Ta＝25°C | 典型值 | 14 | 11 | ||
最大值 | 30 | 30 | |||
输出类型 | 推挽 | 开漏 | |||
I/O全范围 | 轨到轨I/O | ||||
库存查询与购买 | 在线购买 | － | － | ||
注：
[1] 工业机器人、发电机、不间断电源（UPS）、变压器等。
[2] 东芝现有产品TC75W56FU的传输延迟时间：在VDD＝3V测量条件下，低电平到高电平的典型值为550ns，高电平到低电平的典型值为250ns。
[3] 推挽输出：输出电路包含两个晶体管（一个位于电路顶部，一个位于电路底部）的配置，分别驱动高电平和低电平。
[4] 在VDD＝3.3V测量条件下，传输延迟时间仅为30ns（高电平转低电平）。
[5] 开漏输出：输出电路仅包含下方晶体管的配置，主动驱动低电平。
[6] 产品计划于2026年2月开始量产。
评论