适用于小功率电机驱动的MOSFET逆变模块设计
IC。在实际应用中,当负载电流非常大,或有冲击电涌噪声施加在VB或VS端时,VB可能在很短时间内被拉到0V以下。除了对HVIC本身造成破坏外,还会使HVIC出现误操作或闩锁现象。当HVIC出现闩锁时,其行为将不可预测,而且,即使在恢复正常状态后,也可能被电源端之间的过量电流损坏。这类现象与HVIC的设计规则紧密相关,在设计阶段就应排除这种隐患。当HVIC产生误操作时,误操作导致的非正常关断可能中断正常的控制动作,但不大可能导致整个系统的破坏。然而,如果高压侧SR闩锁电路因电涌噪声而异常开启,高压侧功率 MOSFET将处于非控导通状态,且不能在输入信号的脉冲负沿到来时复位。这种行为很可能在逆变器的某一管脚上造成短路,进而破坏功率模块。为了防止这种现象,设计模块的HVIC时,我们针对可能出现的工作和环境条件,将出现误操作的可能性降到最低。同时,当过量的电涌或冲击噪声施加在器件上时,电平漂移单元和SR闩锁电路被设计成具有关断优先的特性。
本文引用地址:https://www.eepw.com.cn/article/201612/327883.htm结论
本文讨论了面向小功率电机驱动应用的新型高集成、低噪声MOSFET逆变模块。该模块专为100W无刷直流内置电机驱动系统而开发。本文还讨论了该模块所采用的封装技术、MOSFET和HVIC,以及其应用特点。
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