哈特莱型LC振荡电路的设计及制作方法
本文引用地址:https://www.eepw.com.cn/article/186594.htm
接着,如图(b)所示,将逆向电压VR=9V加在可变电容二极管上,其合成电容量成为19.4pF。所以
因此,振荡频率的可变范围为9.l6MHz~30.0MHz 。
1SV149变容二极管最大极限值参数(Ta=25℃)
[取自东芝产品说明书](此处于AM电子调谐器中,其容量变化比C1V/C8V接近20)。
图7 电路振荡频率的范围求法
接着,如图(b)所示,将逆向电压VR=9V加在可变电容二极管上,其合成电容量成为19.4pF。所以
因此,振荡频率的可变范围为9.l6MHz~30.0MHz 。
1SV149变容二极管最大极限值参数(Ta=25℃)
[取自东芝产品说明书](此处于AM电子调谐器中,其容量变化比C1V/C8V接近20)。
图7 电路振荡频率的范围求法
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