对于NMOS晶体管M1和M2，其栅源电压分别为Vgs1和Vgs2，那么图3中电压为：本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/181254.htm
如果利用前面提到的两个工作在弱反型区的MOS管输出电压特性来控制两个工作在饱和区的NMOS的栅极电压Vgs1和Vgs2，使得：
式中：λ为比例常数。
将式(5)代入到式(3)可得：
对于参数KM1，它主要受晶体管迁移率λ的影响，通常被定义为：
式中：T为绝对温度；α由工艺决定，典型值为1．5。将式(7)代人式(6)可得：
它为一个与温度无关的常数。
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