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晶体硅太阳电池减反射膜的研究

作者: 时间:2011-07-25 来源:网络 收藏

根据资料和实际经验,从以上几组实验中找出了一些实验效果比较好的参数,然后共得到8组优化参数,这8组实验做完之后,再用1:5的氢氟酸对制得薄膜进行腐蚀,实验具体参数如表3,实验结果如表4。

本文引用地址:https://www.eepw.com.cn/article/178831.htm

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图5~图8给出实验结果。采用平板式PECVD法制备氮化硅薄膜时,沉积条件对氮化硅薄膜特性的影响如下:

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(1)压强主要对折射率和腐蚀速率有影响:随着压强的升高(见图5),折射率上升而腐蚀速率下降(见图6)。压强增大时,膜的均匀性下降(见图7)。
(2)功率主要对膜厚和膜厚差有影响:随着功率的增大,膜厚增大而膜厚差下降(见图8)。
(3)流量比主要对折射率、膜厚和膜厚差都有影响:随着流量比的升高,折射率下降而膜厚和膜厚差都是先升后降(见图8)。
(4)温度对薄膜的各个参数影响都不大。温度上升,折射率增大(见图5),腐蚀速度下降(见图6)。

4 结语
经过实验分析,在温度为430℃,压强为2.1×10-1mbar,功率为3 200 W,流量比为3.07,制备的薄膜具有良好特性,是制作减膜的良好的方案。


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