带隙电压基准源的设计与分析
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组成：第一部分为启动电路，主要由MSA，MSB，MSC三个管子的性能来决定电路的自启动；第二部分为放大器，采用二级Miller电路，并且从带隙部分获得偏置电流；第三部分与Banba结构基本一致。
本结构的优点体现在以下几个方面：
(1)在传统的带隙基准电路中，输出电压VBE约为1．25 V，这就限制了电源电压在1 V以下的应用，而这个结构的Vref通过两个电流的和在电阻上的压降来实现：一个电流与三极管的VBE成正比，另一个与VT成正比，产生的基准电流通过MOS管M3镜像到输出电流，再通过输出负载电阻R4决定输出参考电压，方便改变所需产生的电压值。
(2)放大器中采用Miller补偿可以增加稳定性，Hironori Banba等采用的是以NMOS为差分输出管的单级运放，这样要达到较低电源电压则需要非标准的耗尽型器件，对工艺的转换性较差，所以文中采用PMOS管作为差分输入。由于放大器在电路中起的作用是保证1、2电压的相等，达到对核心部分没有影响的效果，所以此结构是对Banba结构的一种改进。
(3)启动电路使电路节点处于简并状态时也可以自动进入正常工作状态，在Banba结构中，其自启动方法是采用一个额外的脉冲(Power On -Reset Signal)来实现，这在模拟与混合电路中较少用到，所以文中添加了启动部分的电路，虽然增加了元件数，却能使制造和启动过程简单实用。
2．2 自启动模块及放大电路模块分析
在放大器的偏置电路中，如果初始状态节点2的电压为0，则出现简并，在没有外界刺激情况下不会工作，这在实际应用中是不可接受的，所以必须去除简并点，方法如图4所示，由3个MOS管形成开启电路。由于PMOS管MSA的栅极接地，所以MSA始终导通，这样使得S点电平升高，S也是MSB管的栅极，因此MSB管导通，它的漏极电平降低，这样如果启动点为PMOS栅极，该PMOS管导通，电路可以开始工作。最后还必须使MSB脱离，当电路开始正常工作时，MSC管开启，这样就再次使5节点电平下降，MSB管由此关断，脱离了启动部分。本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/176810.htm
带隙电路中的放大器主要作用是使两个输入点的电平相等，所以只要增益足够就可以，另外为了防止振荡，相位裕度也要足够，其他指标不是特别重要。图5为放大器的核心部分，各部分作用：MA1、MA2为第一级差分放大，MA6为第二级放大，MA5、MA7从带隙部分偏置电流分配给放大部分MOS管。Cc为密勒电容，将主次极点分离，也可增大相位裕度。
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