15W LED日光灯恒流驱动方案设计(二)

所以选取反向耐压为600V.

(2) 额定电流Irating

mos管关断后，D4给电感L1提供续流回路，所以通过D4的电流不会超过电感L1饱和电流IL.

(3) 反向恢复时间trr

由于电路工作的频率较高，所以需要反向恢复时间小的超快恢复肖特基，以防止误触发，建议选用trr小于或等于75ns的超快恢复肖特基。

(4) 正向导通压降VF

正向导通压降VF越小，效率越高，尽可能选择正向导通压降小的超快恢复肖特基。

■所以选择反向耐压为600V,额定电流为1A,反向恢复时间小于或等于75ns的超快恢复肖特基。

13.输出电容C9

输出电容的作用是减小LED电流的波动，越大越好，但由于体积的限制，建议选择容值为0.47uF到1uF之间耐压400V为的CBB电容。

14.mos管Q1

(1) mos管耐压VDSS

mos管的最大耐压为交流整流后的电压最大值，留50%的裕量，选取耐压值为

(2) mos管的额定电流IFET

流过mos管的电流取决于最大占空比，本系统最大占空比为50%,所以留过mos管的额定电流为

mos管的额定电流为工作电流3倍时，损耗较小，所以选取mos管的额定电流IFET≥1A.

(3) mos管开启电压Vth

要保证Vth小于芯片的驱动电压，即Vth11V,由于一般高压mos管的Vth为3~5V,所以这个参数不需要过多考虑。

(4) mos管导通电阻Rdson

mos管的导通电阻Rdson越小，mos管的损耗就越小。

(5) 额定温度

实际工作温度不能超出其额定温度的范围。

■ 所以选择耐压为600V,额定电流大于或等于1A,Rdson较小的mos管。

15.CS取样电阻R4,R7,R8

(1) R4,R7,R8的阻值

设R7,R8串联后再与R4并联的电阻为RCS,输出的电流波动范围为0.3,

则：

所以：

选取合适的R4,R7和R8,保证调节R8可以得到需要的输出电流Io,且无论怎样调节R8,Io都不会太大以至于损坏期间。

(2) 电阻类型

RCS上承受的功率为P=I2O×RCS=0.11W ，所以R4,R7采用0805封装的贴片电阻，为了调节R8时输出电流不会变化太快，所以选择R8为精密可调电阻。

16.续流电感L2和续流二极管D5

加L2和D5的主要目的是为了给芯片VCC供电，从而关断芯片HV脚的供电，减小损耗。工作原理为：当mos管导通时，电感L2储能，电容C7给芯片供电，当mos管关断时，L2给芯片VCC供电，并给电容C7充电。

选择L2的原则是使芯片VCC的供电电压保持在11~12V之间，建议选择电感量为18uH,饱和电流与L1相同的电感。选择续流二极管D5时，为了防止误触发，建议选用恢复时间小于75ns的超快恢复肖特基。