由于M1和M2栅极的电位相同，故有：
由于(W/L) 2=K (W/L) 1， 则：
因此可得到：
从而得出N管偏置电压和P管偏置电压为：
同时，该模块还设计有欠压保护电路，利用R网络结构，并采用上拉电阻钳位，可使电压在低于2.5V情况下强制关断芯片，从而提高电源的利用效率。
2.2 高电源抑制比基准电压源
基于0.5μm CMOS标准工艺设计一种不随温度、电源电压以及工艺变化的高电源抑制比基准电压源的电路结构如图3所示。在室温下，该基准源具有零温度系数，且在-40℃～120℃范围内电压变化很小，其温度系数可达3ppm/℃数量级。
图3 基准电路结构
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