光电探测器阵列CCD转移特性 作者： 时间：2012-09-06 来源：网络 加入技术交流群 扫码加入和技术大咖面对面交流海量资料库查询 收藏 <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a635e61e&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a576c0a2&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 为了减小氧化层残余电荷引起界面陷阱中心使载流子消失以提高转移效率，可以在氧化层和衬底之间增加一层隐埋层使转移沟道从表面移向体内。由图1(b)可以看出，势能极小值脱离了界面进入了体内，避免了表面态的影响，因此大大提高了转移效率。 电荷放大器相关文章:电荷放大器原理
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