内置AMD Radeon HD 7970处理器拆解

图2：AMD-RADEON HD 7970显卡处理器工艺节点的确定(点击图片可放大)

　　基于扫描式电子显微镜(SEM)以及透射电子显微镜(TEM)的结构分析报告表明，上述过程的工艺节点为低于30纳米的节点。我们选择了金属1层pitch和6T-SRAM单元的区域，对工艺节点进行确定，并在图2中进行了绘制。NMOS和PMOS具有相似的结构，但PMOS的晶体管使用的是源/漏极水平的锗化硅，从而提高可移动性，同时，这种半导体在栅极叠层中还采用了其他的金属层，从而对逸出功进行调整。我们将在后面的报告中对此进行详细探讨。

　　过去广泛认为，第三代Redeon显卡将会使用TSMC最新的工艺节点。但是，在获得带有内置锗化硅的HKMG产品，以及超低介电IMD后，Radeon显卡成为了非常优秀的世界领先的处理器中的一员。此外，这款产品还成就了一家显卡设计公司和一家晶圆带工厂之间的长期合作关系。这款显卡很可能会发掘出更多的电脑游戏创新。