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PCAP01 – 革新电容数字转换器单芯片方案

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作者:朱登科 acammesselectronic GmbH 时间:2011-11-10 来源:电子产品世界 收藏
 

  4. PCAP01芯片主要特点

本文引用地址:https://www.eepw.com.cn/article/125744.htm

  Pcap01芯片为一颗单芯片电容测量方案,犹如下一些特性:

  • 一颗芯片可以适合多种应用,测量灵活性非常高:

    a) 低测量功耗,在10Hz最低仅2 µA

    b) 测量精度最高达 22 位有效位, 4 aF rms 精度

    c) 测量频率可以最高达500 kHz

  • 非常宽的电容测量范围, 从几 fF 到上百nF
  • 超低增益和offset漂移
  • 18 位高分辨率温度测量
  • 48-位 DSP, 4k byte OTP, 4k byte SRAM
  • 内部或者外部时钟振荡
  • 最多可以支持6个IO口
  • IIC, SPI, PWM, PDM 接口
  • 宽的电源电压范围从2.1 V 到 3.6 V
  • 宽操作温度范围( -40 °C 到 +125°C)
  • QFN32 或者 QFN24 封装

  内部结构原理图:
 

  Pcap01发挥了®测量原理的高精度优势,使电容测量达到了一个前所未有的水平。根据传感器和参考电容大小不同,以及所选择的测量模式的不同,我们有如下测量数据。这个测量数据为典型测量噪声精度vs.数据输出频率, 我们的测试是应用Pcap01评估系统以及10pF参考电容和1pf的Span加载电容完成。芯片的电压为 V = 3.0 V:

  上面表格中可以 看到,我们分别给出了floating漂移模式和Grounded接地模式两种情况。当应用漂移模式,完全补偿的情况下,在5Hz输出时测量的RMS噪声为6aF,测量有效位高达20.7位!在选择不同测量频率的不同设置情况下,精度和速度的相对关系在表格中给出。 当然随基础电容大小不同,测量的有效分辨率也会有所不同。



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