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佳能光刻机!大爆发!

发布人:传感器技术 时间:2023-02-02 来源:工程师 发布文章

芯榜消息:日本佳能(7751)发布财务业绩简报。佳能下一财年用于功率半导体的i-line的预测显着增加。

芯榜分析全球对功率半导体的资本投资可能会继续。

从安全的角度来看,每个国家都在重复进行资本投资。产能将过剩,但对设备制造商来说将是顺风车。

光刻机最核心的技术就是光源,光刻机按光源技术先进次序可分为 紫外光UV,深紫外光DUV、极紫外光EUV三大类。DUV、EUV最为市场紧缺,目前EUV被禁运风险下,DUV也面临卡脖子风险。

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DUV光刻机也包括两个大类分为浸入式和干燥式浸入式为ARFi光刻机;干燥式分为三种分别是i-lineKRF和ARF三种光刻机按照光刻机的发展先后顺序分别是i-lineKRFARFARFi一个主要区别在于光源的波长分别是365纳米248纳米193纳米等效134纳米和13.5纳米这些光源的最大分辨率分别是90nm60nm38nm28nm。
化合物半导体
【芯榜】旗下化合物半导体研究中心,聚焦碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)等化合物半导体。
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佳能:我来给中国提供光刻机在2021年史无前例大缺芯中,一台三十年前佳能的二手光刻机身价暴涨17倍,2014年售价不到10万美元,却足足被炒作卖到了170万美元。尽管这台光刻机仅适用于4至8英寸的晶圆,只能用于350nm的技术。2022年初,佳能表示要投入500亿日元(约合25亿元人民币)新建半导体设备工厂,主要增产光刻设备,而建成后预计产能将提高2倍。
当前,全球的光刻机主要可以分为两类,EUV与DUV。简单来说,EUV主要用于7nm及更先进的制程,在这个市场中,来自荷兰的阿斯麦一家独大。而在14nm以及更成熟的制程中,则主要使用的是DUV设备,这一市场则由阿斯麦以及来自日本的佳能、尼康三分天下。由于历史的原因,在光刻机的生产中,阿斯麦采用全球分工,尤其是光刻机的核心零部件光源主要来自美国,因此会受到更多的美国长臂管辖,而日本企业更多采用垂直一体化的生产模式,相对来说受限较小。政治原因之外,于佳能而言,借助中国市场,实现光刻机产业的“弯道超车”,则是另一重它的隐秘“芯事”。图片

日本光刻机,卷土重来?

懂行的可能知道,日本的佳能、尼康的光刻机市场份额曾遥遥领先荷兰ASML,在上次佳能扩产光刻设备的2000年左右,ASML因为和台积电的一次触电式合作,从无名小卒一骑绝尘,反观佳能、尼康已经逐渐走下坡路。2000年初,因为一场光刻机干湿路线之争,光刻机市场格局被ASML打破。2004年,ASML和台积电共同研发出全球首台浸润式微影机,凭借优秀的性能和稳定的技术,ASML一举碾压走“干法”路线的佳能和尼康,尼康、佳能从此沦为二三线半导体设备厂商。图片佳能目前出售的光刻机涉及i-line到KrF级别,没有浸入式光刻机,在EUV领域几乎不可能赶超ASML,正在研究“纳米压印光刻(NIL)”,尝试以低成本来制造尖端半导体。2021年佳能的i-line、KrF两类光刻机出货量达140台,较2020年出货增加18台,增幅15%,其中出货主力i-line机台出货了102台。佳能预测2022年半导体光刻设备的销量比上年增长29%,增至180台,最近10年内激增至4倍。建设新工厂后,2个基地的总产能将增至约2倍,以此满足暴增的半导体设备需求。虽然高端光刻机攻不下,但中低端光刻机还有市场。比如佳能在2021年出货的新式i线步进式光刻机“FPA-3030i5a”,可以制造硅基以及SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)等化合物半导体晶圆。佳能还联合铠侠开发NIL工艺,号称可以不使用EUV光刻机将芯片制程提升到5纳米水平。所谓NIL技术,是将三维结构的掩膜压在晶圆的感光材料上,同时照射光线完成一次性转印,被称为是最有前景的光刻技术之一。相比EUV,NIL主要有两大优势。第一,NIL更省钱。第二,技术更加独立自主。第三,可以做5纳米。中国半导体面临美国联合围堵的境况下,日本光刻机能否卷土重来?我们拭目以待。

 来源:芯榜+ 


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关键词: 佳能光刻机

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