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开关特性 文章 进入开关特性技术社区

杂散电感对SiC和IGBT功率模块开关特性的影响探究

  • IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。本系列文章将重点讨论直流链路环路电感（DC−Link loop inductance）和栅极环路电感（Gate loop inductance）对VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响，本文为第一部分，将主要讨论直流链路环路电感影响分析。测试设置双脉冲测试 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的设置来分析SiC和IGBT模块的开关特性
  • 关键字： 杂散电感  SiC  IGBT  开关特性  

栅极环路电感对SiC和IGBT功率模块开关特性的影响分析

  • IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。本系列文章将重点讨论直流链路环路电感（DC−Link loop inductance）和栅极环路电感（Gate loop inductance）对VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响，本文为第二部分，将主要讨论栅极环路电感影响分析。（点击查看直流链路环路电感分析）测试设置双脉冲测试 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的设置来分析S
  • 关键字： IGBT  SiC  开关特性  

浅析栅极电阻RG对IGBT开关特性的性能影响

  • 1 前言　　用于控制、调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的+15V控制电压(VG(on
  • 关键字： IGBT  栅极电阻  开关特性  性能影响    

一种单级式半桥功率因数校正电路

栅极电阻RG对IGBT开关特性的性能影响分析

  • 　1 前言　　用于控制、调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的+15V控制电压(VG(
  • 关键字： IGBT  栅极电阻  开关特性  分析    

D类MOSFT在发射机射频功放中的应用

  • O 引言
    随着微电子技术的发展，MOS管在电子与通信工程领域的应用越来越广泛。特别是在大功率全固态广播发射机的射频功率放大器中，利用MOS管的开关特性，可使整个射频功率放大器工作在开关状态，从而提高整机效
  • 关键字： 应用  功放  射频  发射机  MOSFT  MOSFET  开关特性  射频功放  调幅发射机  
共6条 1/1 1

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