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浅析栅极电阻RG对IGBT开关特性的性能影响

  • 1 前言　　用于控制、调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的+15V控制电压(VG(on
  • 关键字： IGBT  栅极电阻  开关特性  性能影响    
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