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射频芯片设计 文章 进入射频芯片设计技术社区

新思科技携手是德科技、Ansys面向台积公司4纳米射频FinFET工艺推出全新参考流程,助力加速射频芯片设计

  • 摘要:●   全新参考流程针对台积公司 N4PRF 工艺打造,提供开放、高效的射频设计解决方案。●   业界领先的电磁仿真工具将提升WiFi-7系统的性能和功耗效率。●   集成的设计流程提升了开发者的生产率,提高了仿真精度,并加快产品的上市时间。新思科技(Synopsys, Inc.)近日宣布,携手是德科技(Keysight)、Ansys共同推出面向台积公司业界领先N4PRF工艺(4纳米射频FinFET工艺)的全新参考流程。该参考流程基于新思科
  • 关键字: 新思科技  是德  Ansys  射频芯片设计  

新思科技携手是德科技、Ansys面向台积公司4 纳米射频FinFET工艺推出全新参考流程

  • 摘要:●   全新参考流程针对台积公司 N4PRF 工艺打造,提供开放、高效的射频设计解决方案。●   业界领先的电磁仿真工具将提升WiFi-7系统的性能和功耗效率。●   集成的设计流程提升了开发者的生产率,提高了仿真精度,并加快产品的上市时间。近日宣布,携手是德科技(Keysight)、Ansys共同推出面向台积公司业界领先N4PRF工艺(4纳米射频FinFET工艺)的全新参考流程。该参考流程基于新思科技的定制设计系列产品,为追求更高预测精度
  • 关键字: 新思科技  是德科技  Ansys  台积公司  4 纳米  射频  FinFET  射频芯片设计  
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射频芯片设计介绍

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