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TTI Vishay 极致电阻 TTIAsia
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，该公司的Si8851EDB TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET荣获《电子产品世界》杂志的2013年度电源产品奖。 《电子产品世界》年度电源产品奖评选已经举行了11年，面向全球的电源供应商征集参选产品。五个门类的最佳产品奖和最佳应用奖的获奖产品是通过在线投票，以及《电子产品世界》的编辑、专家和工程师的严格评审选出的。Vishay的Si8851EDB能够在便携式计算设备中显著提高效率
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Vishay MOSFET 电子产品世界
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新系列高功率、大电流栅极电阻---GRE1。Vishay Milwaukee GRE1器件具有6.5kW的高功率和+400℃的工作温度，以及稳健的设计，可直接替换竞争的解决方案。
2014年5月15日发布的栅极电阻在+40℃下的功率为1kW～6.5kW，适用于机车、谐波滤波器、可再生能源以及工业系统里的电容器预充电和放电、电阻制动、负载测试、加热器和中性点接地应用。器件的电阻值为0.1&Om
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Vishay GRE1 电阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新系列通孔单输入线薄膜电阻---HVPS。Vishay Dale薄膜HVPS器件适合精密、高压仪表和放大器中的高精度应用，具有高达10MΩ的阻值、低至±0.01%的严格公差和1800V的高工作电压。
今天发布的电阻采用高工作电压，在+70℃下可以将±0.05%的稳定薄膜特性保持2000小时，具有±5ppm/℃的超低TCR和50k&Omeg
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Vishay HVPS 电阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出业界首款采用小尺寸、热增强型SC-70® 封装的150V N沟道MOSFET---SiA446DJ。Vishay Siliconix SiA446DJ的占位面积为2mm x 2mm，在10V下具有业内最低的导通电阻，可通过减少传导和开关损耗，在各种空间受限的应用中提高效率。
SiA446DJ适用于隔离式DC/DC转换器里的初级侧开关、LED背光里的升压转换器，以及以太网供电 (PoE
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Vishay 电阻 SiA446DJ
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款通用扁绕功率电阻---EDGU。通用的贴装EDGU电阻可方便地直接替换竞争产品，兼具高可靠性设计和在85A电流下连续工作的能力，可承受5秒钟的相当于10倍额定功率的短时过载。
Vishay Milwaukee EDGU采用卷在边缘的电阻合金带状导线，导线被撑在专门设计的瓷质绝缘子上，绝缘子具有适当的匝到匝间距和保持到支撑杆的绝缘。器件的开放式线圈结构能够实现高效散热，能承受过载和浪涌。E
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Vishay 电阻 EDGU
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出用于军工和航天应用的TANTAMOUNT®表面贴装固钽模塑片式电容器的新Hi-Rel系列产品---T42。Vishay Sprague T42系列提供符合MIL-PRF-55365要求的高可靠性和浪涌电流测试选项，内置熔丝可实现自动防故障操作，兼具高容量和高电压，在+25℃和100kHz条件下ESR低至80mΩ。
T42产品数据表链接地址：http://datasheet.e
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Vishay T42 电容器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK® SC-70封装的新款-30V、12V VGS P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA453EDJ。该器件是2mm x 2mm占位面积的-30V器件，在-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低的导通电阻，在便携电子产品里能够节省空间，并提高能源效率。
2014年4月29日发布的Vishay Siliconix这款-30
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Vishay 电阻 SiA453EDJ
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出可在+180℃高温下连续工作的新款车用级IHLP®低外形、大电流电感器---IHLP-2525CZ-8A。新的Vishay Dale IHLP-2525CZ-8A的外形尺寸为2525，高度低至3.0mm，感值范围从0.47μH到22μH。 今天推出的器件通过AEC-Q200认证，频率高达1MHz，可在高温汽车应用里当作电压稳压模块(VRM)和DC/DC转换器的高效能、节省空间和能源解决方案
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- 器件适合音响和医疗应用，具有12W高功率等级和+350℃的工作温度。宾夕法尼亚、MALVERN—2014年4...
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- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出可用于医疗成像设备和高端音响的新系列无磁、无感轴向引线的绕线电阻---MRA系列，电阻的功率等级高达12W，可在+350℃高温下工作。 Vishay Mills MRA系列器件来自Vishay Dale电阻事业部，采用无感和全焊接结构，适用于射频和运算放大器应用，能够大大增强频率响应。结合无感的Ayrton-Perry线圈，器件几乎没有感抗和信号损失。 电阻在25℃下的功率等级
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- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布，发布用于DC-link应用的新款环境友好的金属化聚丙烯膜电容器---MKP1848C。器件具有1μF～500μF的容量范围、小尺寸占位，电压等级从500V到1200V。 凭借单位体积的高容量和在+70℃、标称直流电压下超过10万小时的长寿命，经济实用的MKP1848C非常适合可再生能源逆变器、电机驱动和电源等工业电源应用。 DC-link电容器的ESR低至1.5mΩ，每毫米引线间隔的自感小于1nH，可承受高
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Vishay 电容器 MKP1848C
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，将2512外形尺寸的PTN系列精密表面贴装薄膜片式电阻的功率等级提到2W。Vishay Dale薄膜器件采用自钝化的耐潮钽氮化物电阻膜技术，具有高功率等级和低至±25ppm/℃的绝对TCR，在-55℃～+125℃宽温条件下，经过激光微调的公差低至±0.1%。 PTN电阻的钽氮化物电阻膜使器件的耐潮水平超过MIL-PRF-55342的极限，使这款器件非常适合军工、航天、电信和工业应用的低噪声、高精度控制系
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- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK® SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高电源效率，在4.5V和2.5V栅极驱动下具有20 V(12V VGS和8V VGS)器件中最低的导通电阻，占位面积为2mm x 2mm。
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- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备，以及其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T，扩充其光电子产品组合。VOW3120-X017T的最短电气间隙和外爬电距离为10mm。该器件不仅具有长隔离距离，还具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔离电压，非常适合在高工作电压下运转的应用及污染程度较重的环境。 除了具有优异的隔离能力，使用可靠和久经考验的光电子
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