强固型嵌入式电脑品牌 – cincoze德承推出Display Computing – CRYSTAL产品线高性能平板电脑系列(P2202+CV/CS/CO Series)，其亮点在于搭载了Intel Alder Lake-P (U-Series)处理器，提供目前市面少有的优异运算效能外，透过德承独家的CDS技术，可以根据不同的需求，应用于广泛的工业场景，户外高温阳光直射环境或是需要于设备机台整合等，势将成为人机界面应用的理想选择。外型轻薄，效能强劲P2202系列包含了标准机型P2202以及具有PCIe扩
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德承 Alder Lake-P 平板电脑
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源*1，开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年来，为了实现可持续发展的社会，对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。然而，与Si MOSFET相
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ROHM AC适配器 GaN HEMT Si MOSFET
氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体材料，其禁带宽度达到 3.4eV，是最具代表性的第三代半导体材料。除了更宽的禁带宽度，氮化镓还具备更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率，以及更优的抗辐照能力，这些特性对于电力电子、射频和光电子应用有独特优势。GaN 产业上游主要包括衬底与外延片的制备，下游是 GaN 芯片元器件的设计和制造。衬底的选择对于器件性能至关重要，衬底也占据了大部分成本，因而衬底制备是降低 GaN 器件成本的突破口。衬底GaN 单晶衬底以 2-4 英寸为主，4 英寸已实现商用，6 英寸
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GaN-on-Si 氮化镓
问题：为何要组合使用低通滤波器(LPF)和模数转换器(ADC)驱动器？ 答案：为了减小模拟信号链的尺寸，降低其成本，并提供ADC抗混叠保护（ADC采样频率周围频段中的ADC输入信号不受数字滤波器保护，必须由模拟低通滤波器(LPF)进行衰减）。20 V p-p LPF驱动器一般用于工业、科技和医疗(ISM)设备中，该设备必须使用具有更低满量程输入的高速ADC对传统的20 V p-p信号范围进行数字化处理。 简介通过驱动ADC实现优化的混合信号性能，这是一大设计挑战。图1所示为标准的驱动器
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低通滤波器 ADC p-p信号
Power Integrations，近日推出LinkSwitc-TN2 系列 IC，此系列适用于非隔离离线式电源供应器，且应属高度整合(内建Mosfet与控制器)，可大幅提高效能与节省空间，相较于传统线性或电容式降压器更具优势。所有装置中内建的半导体，除了以往传统的耐压为725V外，更是推出了高达耐压900V的MOSFET，使得设计与应用方面更为弹性，其控制器也包含了振荡器、于轻负载时实现最高效率的开/关控制、自偏压的高电压切换电流源、频率抖动(Jitter)、current limit(可调整)、磁滞
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PI LinkSwitch-TN2 LNK3294G/P
北京 2022年11月3日——IDC于近日发布《中国数据复制与保护系统市场季度跟踪报告，2022上半年》。报告显示，2022上半年，数据复制与保护市场较去年同期实现了9.8%的增长，市场规模达到2.7亿美元。IDC预测，未来五年，中国数据复制与保护市场将以13.7%的年复合增长率（CAGR）增长，在2026年达到12. 6亿美元。网络安全等级保护2.0的推出和异构环境带来的数据保护问题，使得企业客户更加重视数据复制和保护。在数字化浪潮下，数据在推动信息渗透、跨界融合领域展现着极为重要的地位，成为企业数字产
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DR&P IDC
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列，该系列具有出色的导通电阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常适用于主流的 800V 总线架构，这种架构常见于电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC/DC 太阳能逆变器、焊接机、不间断电源和感应加热等应用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件总工程师 Anup Bhalla 表示：“我们通过
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Mentor P Qorvo SiC FET
专注于引入新品推动行业创新的电子元器件分销商贸泽电子 ( Mouser Electronics ) 近日宣布与 Fortebit 签署全球分销协议。该公司设计并制造高质量、高性价比的解决方案，用于嵌入式语音识别、语音播放功能和位置服务。签署此项协议后，贸泽分销的 Fortebit产品线 包含EasyVR 3 Plus语音识别器件和Polaris汽车物联网平台等产品。 EasyVR 3 Plus 是一款多
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SD SV SI
知IN，英特尔的自媒体微信账号。分享英特尔新闻、产品技术和内幕故事；交流行业热点话题；体味科技与人文的温度
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SI IA
2019年3月19日 -
美国柏恩Bourns全球知名电子组件领导制造供货商，今天推出了新系列的聚合物温度保护器(P-TCO)，其特色在于保护USB-C电缆线避免受破坏性和潜在危险的热失控事件影响。Bourns新型P-TCO系列提供适用于USB
3.2、3.1、3.0和2.0以及其他类型数据/充电电缆线的USB C-C、C-B和C-A连接器配置优化的过温保护解决方案。 Bourns® P-TCO-U与P-TCO-N系列 USB
Type-C连接器能够提供高达100W的功率，具有24个引
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Bourns P-TCO
随着显示产业的不断发展，人们对于显示成像技术的要求不断提高，这也促使着技术的不断发展，TFT-LCD这种低成本、高解析度、高亮度、宽视角以及低功耗
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a-Si GZO LTPS
DIGITIMESResearch观察触控与显示驱动整合(TouchandDisplayDriverIntegration;TDDI)芯片市场发展，由于增加HybridIn-Cell型态产品，以及面板业者导入TDDI动机提升等因素带动，2017年全球TDDI出货量将较2016年成长191%，其中，台系业者市占率将达近4成，从过去由新思(Synaptics)一家独大局面中突围。
TDDI芯片又称IDC(IntegratedDisplayandController)，2017年上半受大中华区智能型手
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a-Si TDDI
本文介绍了一款新颖的PRA(Pattern Reconfigurable Antenna)。天线辐射单元主要由三部分组成：包括矩形驱动贴片，两个对称的开了CRS(Cross Ring Slot)的半圆形寄生单元以及地平面。两组p-i-n二极管分别放置在十字形环缝隙上，通过这两组p-i-n二极管电开关将它们连接起来，从而可以实现辐射方向图可调。仿真结果表明，天线在4.29GHz~4.87GHz频率范围内S11<-10dB，阻抗带宽大于500MHz，具备良好的宽带特性。并且具有三种辐射方向图，可以通过p-i-
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CRS 方向图可调 宽带 p-i-n二极管 201701
1引言P-NET现场总线技术由丹麦Proces-DataA／S公司研究并开发，是一种全世界通用的开放型标准化总线。它可以将生产过程的各个部分，
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P-NET现场总线技术系统特点运行模
甲类晶体管功率放大器，音色温暖甜美，使人倾心。但甲类功放温升较高，如采用普通的双极性晶体管，则温度稳定性较差，调试困难，使用中也让人担心。本文介绍输出级采用三肯产品SAP15N/P音响对管的甲类功放。SAP15N/P输出电流15A，...
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SAP15N P 音响对管 甲类 功率放大器
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