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CMOS快被取代?英特尔将采用MESO降低10倍功耗

  •   目前,现有的CMOS半导体工艺正在逐步逼近物理极限,因而提高性能、降低功耗都并非易事。未来十年的计算时代中,CMOS工艺很有可能被新技术取代。  近日,英特尔联合加州大学伯克利分校的研究人员开发了一种新的MESO(磁电自旋轨道)逻辑器件,这种常温量子材质制造的设备可以将芯片工作电压从3V减少到500mv,减少5倍,能耗降低10-30倍,而且运行速度也是CMOS工艺的5倍。  这项技术是英特尔、加州大学伯克利分校合作的,论文已经发表在《自然》杂志上,它所用的MESO是一种铋,铁和氧(BiFeO3)组成的
  • 关键字: CMOS,MESO  

关于数Gpbs高速存储器接口设计的分析

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