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IR推出多用途80V MOSFET

  • 功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出IRF1312 型HEXFET功率MOSFET,额定电压达80V,可用作隔离式直流-直流转换器中的原边和付边MOSFET,专攻网络通信及数据通信系统领域。作为原边MOSFET时,IRF1312能用于高达60V最大输入电压,因此最适用于36V至60V及48V稳压输入母线隔离式直流-直流转换器应用中的半桥或全桥结构。与同类75V MOSFET相比,其80V额定电压提供额外6% 的防护带,使设计更加坚固耐用。IR中国
  • 关键字: IR  

IR推出运行于更低温度的高速隔离式整流器IGBT模块

  • 功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出全新MTP隔离式开关模块系列,它们以氮化铝陶瓷层进行绝缘,在结点与外壳间发挥更佳导热性能。该绝缘层的热传导性 (冷却能力) 比用于同类器件的氧化铝基板高出7倍之多。新模块系列的额定电压为600V和1200V,它们把高速IGBT和优化的二极管结合在同一封装内,有助节省空间和降低组装成本,可取代分立式解决方案。新器件专为大电流工业电源而设计,适用于高频弧焊机及不间断电源 (UPS)。IR中国及香港销售总监严国富先生
  • 关键字: IR  模块  

IR推出可替代机电式继电器的300V MOSFET功率器件

  • 功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出新产品IRF3000。它是一个300V、N沟道HEXFET功率MOSFET,用于取代多种电信及网络应用中的机电式继电器。新器件是一种固态半导体,无机械部分,故可提高整体系统可靠性,且体积比机电式继电器低30%之多。IRF3000比机电式继电器更具效率,导通电阻比机械继电器低90%以上,最大限度地减低了传导损耗。新器件的栅电荷极低,可最大程度减低开关损耗。IRF3000比继电器更易驱动,有助简化电路设计并降低整体
  • 关键字: IR  继电器  

IR披露最高集成度智能功率模块

  • 国际整流器公司 (International Rectifier)披露首个iNTERO可编程隔离式智能功率模块 (PI-IPM),在单一封装内将功率平台整合到嵌入式驱动器板上,纳入一个可编程数字信号处理器。新器件型号为PIIPM50P12B004,额定值为1200V和50A,具备电流传感、隔离、栅驱动器及功率平台保护功能,可直接与电机驱动器主机及输入平台接口,方案内设有基本应用指令集及开发工具,效率高、坚固耐用,噪音低。该模块电流反馈环路频宽5kHz,提供平直的安全操作区,融合了IGBT技术,采用EMP封
  • 关键字: IR  模块  

IR推出更小的集成式开关(6.29)

  •   功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR)推出高效、低成本强化集成开关IRIS系列,将HEXFET功率MOSFET与控制集成电路结合在单一封装内,可简化电路设计,减少了印制电路板尺寸及25%的元件数目。与交流-直流开关电源的分立电路相比,效率相同,甚至更佳。   全新IRIS集成开关系列将一个低损耗全部雪崩能量HEXFET功率MOSFET与一个双电压及电流控制集成电路结合在单一封装内,适用于通用输入及单输入60W至180W开关电源的反激变换技术。  
  • 关键字: IR  模拟IC  电源  
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