IR推出更小的集成式开关(6.29)

　　功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)推出高效、低成本强化集成开关IRIS系列，将HEXFET功率MOSFET与控制集成电路结合在单一封装内，可简化电路设计，减少了印制电路板尺寸及25%的元件数目。与交流-直流开关电源的分立电路相比，效率相同，甚至更佳。

　　全新IRIS集成开关系列将一个低损耗全部雪崩能量HEXFET功率MOSFET与一个双电压及电流控制集成电路结合在单一封装内，适用于通用输入及单输入60W至180W开关电源的反激变换技术。

　　对于批量生产的消费电子产品，新器件可简化设计，降低成本，缩减尺寸并减轻重量。由于简化了功率转换电路，显示器、DVD机、传真机、打印机及机顶盒等产品可以设计得更平滑、更精简。

　　IR利用超绝缘材料的贴膜芯片工艺(专利尚待通过)，进一步降低集成开关封装的杂散电感，同样大小的封装内组装更大的MOSFET晶片，从而提高效率及功率级。IR崭新的贴膜芯片工艺还可简化器件组装步骤，使得以这些器件制成的开关电源比分立方案更具成本竞争力。新技术还通过了超出业界标准的温度寿命测试。

　　IRIS系列集成开关可在准谐振或脉宽调制模式下工作。在准谐振模式下，开关在漏极电压到达最低振荡点时才起作用，以便降低开关损耗，从而在高负荷状态下提高整体效率。脉冲比控制模式则更适用于需要小电流休眠模式的应用。工作中器件在这两种模式间转换，以达到更高效率及降低开关损耗。

　　为支持更为灵活并耐用的设计，全新IRIS系列器件具有过电压保护、过温保护及可变过电流保护功能。另外，这些器件还具有耐用的全部雪崩能量HEXFET功率MOSFET。