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电源管理设计小贴士#94:倒置降压器如何提供非隔离反激器的拓扑选择

  • 离线电源是最常见的电源之一,也称为交流电源。随着旨在集成典型家用功能的产品数量的增加,对所需输出能力小于1瓦的低功率离线转换器的需求也越来越大。对于这些应用程序,最重要的设计方面是效率、集成和低成本。在决定拓扑结构时,反激通常是任何低功耗离线转换器的首选。但是,如果不需要隔离,这可能不是最好的方法。假设终端设备是一个智能灯开关,用户可以通过智能手机的应用程序进行控制。在这种情况下,用户在操作过程中不会接触到暴露的电压,因此不需要隔离。对于离线电源来说,反激拓扑是一个合理的解决方案,因为它的物料清单(BOM
  • 关键字: BOM  FET  VDD  

高功率密度、快速响应费控开关电源控制芯片 — SCM1725A

  • “十三五”期间,我国将加快推进智能电网的建设,国家电网在此期间将会实现智能电表全覆盖(90%)。为响应国家政策,满足更多客户的需求,金升阳推出功率密度高、响应快速且性价比高的费控开关电源控制芯片——SCM1725A。一、芯片介绍SCM1725A芯片是一款高性能电流模式PWM的控制芯片,该芯片内部集成漏极最低耐压达650V的2A功率管,高压启动引脚通过直接连接电源母线电压,实现VDD旁路电容的快速充电,同时,在该款芯片启动短路保护后,VDD电容电压下降到VDD欠压点,高压快速启动电路重新启动为VDD旁路电容
  • 关键字: PWM  芯片  VDD  

电路原理图中VCC,VDD,VEE,VSS有什么区别

  • 电路原理图中VCC,VDD,VEE,VSS有什么区别-电路中GND和GROUND、VCC,VDD,VEE,VSS有什么区别,一般来说VCC=模拟电源,VDD=数字电源,VSS=数字地,VEE=负电源。
  • 关键字: VDD  VEE  VSS  

vcc vdd vee vss的区别详解

  • vcc vdd vee vss的区别详解-DCpower一般是指带实际电压的源,其他的都是标号(在有些仿真软件中默认的把标号和源相连的)VDD:电源电压(单极器件);电源电压(4000系列数字电路);漏极电压(场效应管)VCC:电源电压(双极器件);电源电压(74系列数字电路);声控载波(VoiceControlledCarrier)VSS:地或电源负极VEE:负电压供电;场效应管的源极(S)VPP:编程/擦除电压。
  • 关键字: vcc  vdd  vee  vss  

VCC、VDD、VEE、VSS等有关电源标注的区别

  •   VCC:C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压;  VDD:D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压;  VSS:S=series 表示公共连接的意思,通常指电路公共接地端电压。  GND:在电路里常被定为电压参考基点。  VEE:负电压供电;场效应管的源极(S)  VPP:编程/擦除电压。  1、对于数字电路来说,VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压(通常Vcc>Vdd),VSS是接地点。  2、有些I
  • 关键字: VCC  VDD  

C、VDD、VSS、 VEE 和VPP的区别

  •   在电子电路中,常可以看到VCC、VDD和VSS三种不同的符号,它们有什么区别呢?   一、解释   VCC:C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压; VDD:D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压;   VSS:S=series 表示公共连接的意思,通常指电路公共接地端电压。   二、说明   1、对于数字电路来说,VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压(通常Vcc>Vdd),VSS是接地点。   2、有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚,说
  • 关键字: VDD  VSS  

电路中VCC,VDD,VEE,VSS有什么区别

  •   电路中GND和GROUND、VCC,VDD,VEE,VSS有什么区别   一、解释   DCpower一般是指带实际电压的源,其他的都是标号(在有些仿真软件中默认的把标号和源相连的)VDD:电源电压(单极器件);电源电压(4000系列数字电路);漏极电压(场效应管)VCC:电源电压(双极器件);电源电压(74系列数字电路);声控载波(VoiceControlledCarrier)VSS:地或电源负极VEE:负电压供电;场效应管的源极(S)VPP:编程/擦除电压。   VCC:C=circuit表
  • 关键字: VCC  VDD  

LED隔离输出单级反激变换相控调光电路

  •   采用Marvell 88EM8183的隔离输出单级反激变换相控调光典型应用电路工作原理图如图1所示。电路图1中的电感L和电容C2起滤波作用,电阻R1和电容C1可以起部分无源泄放作用,适当调节电阻R1和电容C1的参数可以确保前沿相控调光可控硅的可靠触发,电阻R3和电容C3、二极管VD3组成RCD吸收回路,防止功率开关管VT漏极上出现高尖峰电压而损坏功率开关管VT。负温度系数热敏电阻R2起电路过温度保护功能,电阻RS起功率开关管VT的工作电流检测功能,一旦电路出现负载短路或负载过电流故障,在电阻
  • 关键字: LED  RCD  88EM8183  VDD  201404  

RL78/L13内置温度传感器在便携式设备中的应用

  •   RL78/L13内置了一个温度传感器电路,生成对温度按比例减少的电压(温度系数标准值为-3.6mV/℃)。A/D转换器能够对此电压直接进行A/D转换,通过对A/D转换值和温度电压的特性分析,能够算出周边的环境温度。温度传感器的性能和温度传感器
  • 关键字: 传感器  便携式  VDD  A/D  

从4004到core i7——处理器的进化史-CPU构成零件-3

  • 从上面的帖子中我们看到了CMOS工艺下的反相器。如果用一张图总结一下这种设计模式就是下面的这张图
  • 关键字: CMOS  PUN  VDD  电路  CPU  

电路常识性概念之VCC、VDD和VSS三种标号的区别

  • 在电子电路中,常可以看到VCC、VDD和VSS三种不同的符号,它们有什么区别呢?一、解释VCC:C=circuit表示电路的意...
  • 关键字: 电路常识性  VCC  VDD  VSS  

VCC、VDD、VEE、VSS的区别

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: VCC  VDD  VEE  VSS  

亚微米CMOS电路中VDD-VSSESD保护结构设计(一)

  • 1 引言  ESD(Electric Static Discharge)保护结构的有效设计是CMOS集成电路可靠性设计的重要任务之一,其E ...
  • 关键字: 亚微米  CMOS电路  VDD-VSSESD  

亚微米CMOS电路中VDD-VSSESD保护结构设计二

  • 3 仿真分析及具体设计结果  3.1 仿真分析  在亚微米的ESD结构的设计中,一种常见的具体的ESD瞬态检测 ...
  • 关键字: CMOS  VDD  VSSESD  

亚微米CMOS电路中VDD-VSSESD保护结构设计一

  • 1 引言  ESD(Electric Static Discharge)保护结构的有效设计是CMOS集成电路可靠性设计的重要任务之一,其E ...
  • 关键字: CMOS  VDD  VSSESD  
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