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亚微米 CMOS电路 VDD-VSSESD
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CMOS VDD VSSESD
- 1 引言 ESD(Electric Static Discharge)保护结构的有效设计是CMOS集成电路可靠性设计的重要任务之一，其E ...
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CMOS VDD VSSESD
- 3 仿真分析及具体设计结果3.1 仿真分析在亚微米的ESD结构的设计中，一种常见的具体的ESD瞬态检测电压如图2 VDD-VSS间的电压钳位结构。其原理如下：主要利用结构中的RC延迟作用，一般T=RC被设计为100ns-1000ns之间，而
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VDD-VSSESD CMOS 亚微米 电路
- 1 引言ESD(Electric Static Discharge)保护结构的有效设计是CMOS集成电路可靠性设计的重要任务之一，其ESD结构与工艺技术、特征尺寸密切相关，随着IC工艺技术的进一步发展，特征尺寸越来越小，管子的栅氧层厚度越来越
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VDD-VSSESD CMOS 亚微米 电路
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