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1250V!PI PowiGaN™提升GaN开关耐压上限

  • 氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件,能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。相比于生成工艺复杂的SiC,GaN的生成工艺相对成熟,可以制作成尺寸小巧的芯片封装,因此非常适合在各种消费级和工业级开关功率应用。当然,相比SiC在高压领域的出色表现,GaN在高压的表现并不突出。因此,作为目前GaN市场占有率最高的Power Integrations(PI)创新地将GaN开关的耐压上限提升到1250V,再次为GaN开关的应用填补了新的耐受电压领域。 PI的PowiGaN已经在超过60个的市场应用中
  • 关键字: 1250V  PI  PowiGaN  GaN  

效率加满,Power Integrations的IC为aCentauri车队太阳能赛车的关键任务功能保驾护航

  • PI将为本月下旬时候参加3,000公里普利司通世界太阳能车挑战赛的aCentauri车队提供先进的PowiGaN™氮化镓(GaN)技术、专家设计支持和资金赞助。Power Integrations的Mr. Green将跟随aCentauri车队和其他37位参赛选手穿越澳大利亚内陆,见证太阳能车在效率、空气动力学、速度和续航能力方面所能达到的创新极限。 Power Integrations市场营销总监Trevor Hiatt表示:“在研究了Power Integrations的大量参考设计后,aC
  • 关键字: PI  普利司通  太阳能车  PowiGaN  

Power Integrations推出900V氮化镓反激式开关IC

Power Integrations发布InnoSwitch3-PD参考设计,适用于超紧凑型USB Type C、PD + PPS适配器

  • DER-937是一款采用高度集成的升压PFC和氮化镓反激式开关IC设计的100W USB PD充电器,总共仅使用117个元件
  • 关键字: PI  功率转换  PowiGaN  
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