LTE器件市场正在迅速增长，而且，它对射频前端(RFFE)性能的要求是前所未有的。ABI研究公司预测，在2014年，LTE订购量将达到3.752亿，在2015年，将增加60 %，上升到的5.889亿。该公司的研究简报“明天的互联世界
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LTE 射频 Peregrine
Peregrine半导体公司是射频SOI(绝缘体上硅)技术的创始人，先进的射频解决方案的先驱，现在宣布UltraCMOS ® PE42020上市。UltraCMOS® PE42020是业界第一个、也是唯一一个真正工作在直流(DC)即零赫兹的集成射频开关。这个真正的直流射频开关能够通过大功率，并且在直流到8000 MHz的频率范围上保持出色的射频性能和线性度。PE42020是取代问题丛生的机械继电器和微机电系统(MEMS)的可靠方案，是用于测试和测量(T&M)和自动测试设备(ATE)的理想开关。
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Peregrine PE42020 射频开关
Peregrine半导体公司是射频 SOI(绝缘体上硅)技术的奠基者和先进射频解决方案的先驱，宣布在大中华市场推出该公司的新系列UltraCMOS®单片相位和幅度控制器(MPAC)。MPAC产品中集成了一个90度混合分离器、移相器、数字步进衰减器以及一个数字SPI接口，全部做在一块芯片上。与多芯片的砷化镓(GaAs)解决方案比较，这种单片射频控制器的线性度高，隔离性能好，能够控制很大的功率，相位调谐灵活性极强，对于两路动态负载调制放大器结构，例如多尔蒂(Doherty)功率放大器，是理想的射频控制方案
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Peregrine SOI MPAC
Peregrine半导体公司是射频SOI(绝缘体上硅)技术的奠基者和先进的射频解决方案的先驱，与村田制作所共同宣布关于2015年UltraCMOS® Global 1的合作。两家公司的这项合作将在2015年世界移动通信大会上举行的UltraCMOS Global1 PE56500产品演示会上启动。UltraCMOS Global1 PE56500产品演示会地点是2号馆2A28MR会议室。通过这项新的合作，将把全CMOS射频前端解决方案PE56500与村田制作所的滤波器紧密无间地整合在一起。 “去年，
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Peregrine UltraCMOS Global 1 CMOS射频
Peregrine半导体公司(纳斯达克股票代号：PSMI)是射频SOI(绝缘体上硅)技术和先进的射频解决方案的创始人和先驱，今天发布高线性度射频开关UltraCMOS®PE42722。用这种开关，可以在有线客户端设备(CPE)中实现上行/下行双频段架构。利用双频段架构，多业务运营商(MSO)可以灵活地为其客户提供新的和扩展的服务，同时客户端设备符合新的DOCSIS3.1有线行业标准。由于支持DOCSIS3.0和DOCSIS3.03.1的开关，可以简单并经济有效地过渡到DOCSIS3.1标准，多业务运营
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Peregrine PE42722
Peregrine半导体公司(纳斯达克股票代号：PSMI)，射频SOI(绝缘体上硅)技术和先进的射频解决方案的创始人和先驱，今天宣布该公司完整的产品阵容扩展到直流和X波段频率。今天，Peregrine推出两种新的集成产品，真正的直流开关和X波段核心芯片。这两种产品都使用Peregrine的UltraCMOS®技术把射频、数字和模拟元件整合在一块芯片上。集成技术向来为数量大的市场带来较低成本的优点，但是Peregrine运用聪颖的整合技术，为高性能市场带来性能上的优势。Peregrine的集成产品具有可
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Peregrine Global 1
三大运营商，特别是中移动，正在开始大力推广4G网络。在最近结束的EDI CON 2014上，不少参展公司目前的战略也都围绕着4G网络。看样子，不管是LTE-TDD还是LTE-FDD，只要是LTE、网速够快，用户的钱总是好赚的。 对手机厂商来说却不见得那么好赚。任何一家手机厂商都希望自己的产品卖得越多越好，最好是都能像苹果一样畅销于全球所有的国家和地区。但是，手机厂商此时不得不面对一个日益凸显的棘手问题，这个问题糟糕到有些令人发指——由于各种不同的原因，全球正在使用的网络制式将近十余种，正在使用的频段
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Peregrine LTE 射频
Peregrine半导体公司是射频SOI(绝缘体上硅)技术的创始人、先进的射频解决方案之先驱，今天，在电子设计创新会议(EDI CON 2014)上，宣布UltraCMOS Global1在大中华地区首次亮相。UltraCMOS Global 1是行业中第一个可重构射频前端( RFFE )系统。由于在一块芯片上集成了射频前端(RFFE)的所有元件，UltraCMOS Global 1是单一平台的设计──
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Peregrine 射频 SOI
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