这款测试芯片是业界首款采用12纳米FinFet（FF）技术为音频IP提供完整解决方案的产品。该芯片完美结合了高性能、低功耗和优化的占板面积，为电池供电应用提供卓越的音质与功能。这款专用测试芯片通过加快产品上市进程、提供同类最佳性能、及确保稳健的产品设计，坚定客户对Dolphin Design产品的信心，再度证实了Dolphin Design在混合信号IP领域的行业领先地位。2024年2月22日，法国格勒诺布尔——高性能模拟、混合信号、处理知识产权（IP）以及ASIC设计的行业领先供应商Dolphin De
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Dolphin Design 12纳米 12nm FinFet 成功流片
2023年9月1日，三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5
DRAM：五代双倍数据率同步动态随机存储器）。这是继2023年5月三星开始量产12纳米级16Gb DDR5
DRAM之后取得的又一成就，这巩固了三星在开发下一代DRAM内存技术领域中的地位，并开启了大容量内存时代的新篇章。 三星12纳米级32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12纳米级32Gb内存的基础上，我们可以研发出实现1TB内存模组的解决方案
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三星 12纳米 DDR5 DRAM
今日，三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已开始量产。三星本次应用的前沿制造工艺，再次奠定了其在尖端DRAM技术方面的优势。"采用差异化的工艺技术，三星业内先进的12 纳米级DDR5
DRAM具备出色的性能和能效，"三星电子内存产品与技术执行副总裁Jooyoung
Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我们持续开拓DRAM市场的决心。这不仅意味着我们为满足计算市场对大规模数据处理的需求，提供高性能和高容量的产品，而且还将通过商业化的下一代
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三星电子 12纳米 DDR5 DRAM
三星电子宣布，已成功开发出其首款采用12纳米（nm）级工艺技术打造的16 Gb DDR5 DRAM，并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人Jooyoung Lee表示："三星12nm级DRAM将成为推动整个市场广泛采用DDR5
DRAM的关键因素。凭借卓越的性能和能效，我们希望新款DRAM能够成为下一代计算、数据中心和AI驱动系统等领域更可持续运营的基础。"AMD高级副总裁、企业院士兼客户、计算
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三星电子 12纳米 DDR5 DRAM
国产CPU性能水平不断提升。日前，飞腾公司发布新一代服务器芯片腾云S2500，拥有64颗内核，采用16纳米工艺，主频达到2.0-2.2Ghz。同时有消息称，龙芯中科正在设计中的新一代处理器LS3A5000/3C5000基于12nm工艺，即将流片。近年来我国CPU产业发展很快，在工艺水平、产品性能上均快速接近，甚至达到国际主流水平。目前，我国CPU产业面临的问题主要是产业生态上的不足，希望新基建能为国产CPU的应用与发展提供新的契机。新一代CPU工艺和性能双提升国产CPU再掀新动作。7月23日，飞腾公司发布
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国产CPU 16/12纳米
三星表示,PCM(相变内存)所具有的体积小及节电优势可能让这种内存替代现有的移动存储形式.
多年来,半导体厂商一直在致力研究PCM内存,不过,它一直处于试验阶段.PCM内存当中包含有类似玻璃的材料,当其中的原子重新排列,它的状态就会发生改变,晶体的变化对应计算上的0,1状态,从而可以用于数据存储.
一直以来,包括英特尔和英飞凌在内的很多公司都在从PCM的研发,他们试图将这种存储器的体积减小,增存储加速度与容量.支持PCM的人士认为,PCM最终可能取代NAND和NOR闪存.
三星半导体
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三星 PCM 34纳米 10纳米 12纳米
12纳米介绍
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