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隧穿场效应晶体管 文章

高驱动电流的隧穿器件设计

  •   陈玉翔(电子科技大学电子科学与工程学院  四川  成都  610054)  摘 要:隧道场效应晶体管(TFET)由于其独特的带带隧穿原理而成为超低功耗设计中有力的候选者。传统MOSFET在室温下的亚阈值摆幅因载流子漂移扩散工作原理而高于60 mV/dec;而基于量子隧道效应的隧穿场效应晶体管,其亚阈值斜率可以突破MOSFET器件的亚阈值摆幅理论极限,并且具有极低的关态泄漏电流。本文提出了一种异质结纵向隧穿场效应晶体管,用以改善器件导通电流和亚阈值特性,改进后的器件开态电流由36 μA/μm增加到92
  • 关键字: 202006  隧穿场效应晶体管  带带隧穿  异质结  开态电流  

高驱动电流的隧穿器件设计

  • 隧道场效应晶体管(TFET)由于其独特的带带隧穿原理而成为超低功耗设计中有力的候选者。传统MOSFET在室温下的亚阈值摆幅因载流子漂移扩散工作原理而高于60mV/dec;而基于量子隧道效应的隧穿场效应晶体管,其亚阈值斜率可以突破MOSFET器件的亚阈值摆幅理论极限,并且具有极低的关态泄漏电流。本文提出了一种异质结纵向隧穿场效应晶体管,用以改善器件导通电流和亚阈值特性,改进后的器件开态电流由36μA/μm增加到92μA/μm,平均亚阈值摆幅从32mV/dec降低到15mV/dec。
  • 关键字: 隧穿场效应晶体管  带带隧穿  异质结  开态电流  
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隧穿场效应晶体管介绍

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