- 陈玉翔（电子科技大学电子科学与工程学院 四川 成都 610054） 摘 要：隧道场效应晶体管（TFET）由于其独特的带带隧穿原理而成为超低功耗设计中有力的候选者。传统MOSFET在室温下的亚阈值摆幅因载流子漂移扩散工作原理而高于60 mV/dec；而基于量子隧道效应的隧穿场效应晶体管，其亚阈值斜率可以突破MOSFET器件的亚阈值摆幅理论极限，并且具有极低的关态泄漏电流。本文提出了一种异质结纵向隧穿场效应晶体管，用以改善器件导通电流和亚阈值特性，改进后的器件开态电流由36 μA/μm增加到92
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202006 隧穿场效应晶体管 带带隧穿 异质结 开态电流
- 隧道场效应晶体管（TFET）由于其独特的带带隧穿原理而成为超低功耗设计中有力的候选者。传统MOSFET在室温下的亚阈值摆幅因载流子漂移扩散工作原理而高于60mV/dec；而基于量子隧道效应的隧穿场效应晶体管，其亚阈值斜率可以突破MOSFET器件的亚阈值摆幅理论极限，并且具有极低的关态泄漏电流。本文提出了一种异质结纵向隧穿场效应晶体管，用以改善器件导通电流和亚阈值特性，改进后的器件开态电流由36μA/μm增加到92μA/μm，平均亚阈值摆幅从32mV/dec降低到15mV/dec。
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隧穿场效应晶体管 带带隧穿 异质结 开态电流
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