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维持电压 文章

一种非对称双向可控硅静电防护器件的设计*

  • 非对称双向可控硅(ADDSCR)是在考虑了保护环结构之后,为使I-V特性曲线对称而设计的非对称结构,但是其维持电压较低,容易闩锁。为了提高传统ADDSCR的维持电压,基于0.18 μm BCD工艺,设计维持电压高的HHVADDSCR。经TCAD仿真,证明HHVADDSCR具有高维持电压,避免了闩锁,且器件适用于传输电平在18~60 V的芯片信号端口的静电保护。
  • 关键字: 202107  非对称可控硅  维持电压  ESD  闩锁效应  
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维持电压介绍

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